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MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

刘彦锋
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_0-1657535363284.png

_1-1657535478173.png

其中的RDS(on),测试条件为VGS=10V,ID=46A下进行的;

问题:

1.我想知道VGS变化的话,RDS(on)如何变化?

2.VGS=10V,ID变化的话,RDS(on)如何变化?

 

_2-1657535664011.png

 

上图中的寄生的二极管,导通电阻是多大了,常温下25℃下;可否给一下具体的数值或者范围,多少mΩ;谢谢!!!

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Jingwei
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Hi,彦锋您好,

欢迎使用Infineon Community,

针对您前两个问题,如果定性分析的话,下面这张图会帮你很好理解这个事情。

 

Jingwei_1-1657580932837.png

请注意,这个图不是 IRFB3607PbF的特性图,只是为了展示mosfet特性。

您的第一个问题,Vgs变,Rdson怎么变,可以观察上图中ABCDE这五个点得出结论,Vgs增大,Rdson减小。

您的第二个问题,VGS=10V,ID变化的话,RDS(on)如何变化?观察任意一条曲线,ID增大,Rdson增大。

您的第三个问题,寄生二极管在这里相对应的参数是Vf,也就是导通压降,IRFB3607PbF的寄生二极管导通压降可以参考下图。

Jingwei_2-1657581343310.png

如果您还有问题,请继续使用Community提问。

Best regards,

Steven

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3 Replies
Jingwei
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Hi,彦锋您好,

欢迎使用Infineon Community,

针对您前两个问题,如果定性分析的话,下面这张图会帮你很好理解这个事情。

 

Jingwei_1-1657580932837.png

请注意,这个图不是 IRFB3607PbF的特性图,只是为了展示mosfet特性。

您的第一个问题,Vgs变,Rdson怎么变,可以观察上图中ABCDE这五个点得出结论,Vgs增大,Rdson减小。

您的第二个问题,VGS=10V,ID变化的话,RDS(on)如何变化?观察任意一条曲线,ID增大,Rdson增大。

您的第三个问题,寄生二极管在这里相对应的参数是Vf,也就是导通压降,IRFB3607PbF的寄生二极管导通压降可以参考下图。

Jingwei_2-1657581343310.png

如果您还有问题,请继续使用Community提问。

Best regards,

Steven

刘彦锋
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史蒂文,您好!

非常感谢您的回答,谢谢!

关于IRFB3607PBF功率晶体管,如果使用ansys maxwell软件中的Circuit Design模块,如何更准确的模拟仿真呢?可否给出一些建议,谢谢!

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Jingwei
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彦锋您好,

官网中给出了这个器件的Saber和Spice模型,您可以利用这两个仿真软件来进行仿真。

Best Regards,

Steven

 

 

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