IRFB3607PbF电阻问题

[刘彦锋]

其中的RDS(on),测试条件为VGS=10V，ID=46A下进行的；

问题：

1.我想知道VGS变化的话，RDS(on)如何变化？

2.VGS=10V，ID变化的话，RDS(on)如何变化？

上图中的寄生的二极管，导通电阻是多大了，常温下25℃下；可否给一下具体的数值或者范围，多少mΩ；谢谢！！！

[Jingwei · Accepted solution]

Hi，彦锋您好，

欢迎使用Infineon Community，

针对您前两个问题，如果定性分析的话，下面这张图会帮你很好理解这个事情。

请注意，这个图不是 IRFB3607PbF的特性图，只是为了展示mosfet特性。

您的第一个问题，Vgs变，Rdson怎么变，可以观察上图中ABCDE这五个点得出结论，Vgs增大，Rdson减小。

您的第二个问题，VGS=10V，ID变化的话，RDS(on)如何变化？观察任意一条曲线，ID增大，Rdson增大。

您的第三个问题，寄生二极管在这里相对应的参数是Vf，也就是导通压降，IRFB3607PbF的寄生二极管导通压降可以参考下图。

如果您还有问题，请继续使用Community提问。

Best regards,

Steven

[刘彦锋]

史蒂文，您好！

非常感谢您的回答，谢谢！

关于IRFB3607PBF功率晶体管，如果使用ansys maxwell软件中的Circuit Design模块，如何更准确的模拟仿真呢？可否给出一些建议，谢谢！

[Jingwei]

彦锋您好，

官网中给出了这个器件的Saber和Spice模型，您可以利用这两个仿真软件来进行仿真。

Best Regards,

Steven