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Cypressフラッシュメモリのオーバーシュートとアンダーシュートの仕様 - KBA222395 - Community Translated (JA)

ChaitanyaV_61
Employee

Cypressフラッシュメモリのオーバーシュートとアンダーシュートの仕様 - KBA222395 - Community Translated (JA)

Community Translated by KaKi_1384211         Version: **

Translation - English: Overshoot and Undershoot Specification for Cypress Flash Devices – KBA222395

質問: 入力信号にオーバーシュートとアンダーシュートが発生した場合、Cypressフラッシュメモリは動作しますか?

回答: 入力信号の最大許容オーバーシュートとアンダーシュートの仕様は、対応する製品のデータシートの絶対最大定格のセクションに記載されています。

例えば、S29GL512Tのオーバーシュートとアンダーシュートの絶対最大定格は下記のとおりです。

RESET#以外のすべてのピン

-0.5 V to (VIO + 0.5 V)

RESET#

-0.5 V to (VCC + 0.5 V)

ここS29GL512Tのデータシートにアクセスできます。

入力信号が上記の制限内であれば、フラッシュデバイスは問題なく動作します。

ただ、電圧遷移中に入力信号の電圧がこの制限を超える可能性があります。つまり、オーバーシュートがVIO/VCC+0.5Vより大きくなる、およびアンダーシュートが-0.5V未満になる場合があります。Cypressフラッシュデバイスは、オーバーシュートとアンダーシュートが2V未満 (VCC+2Vを超えるオーバーシュートと-2V未満のアンダーシュート) で、20nsの期間であれば、対応できます。もし、これらの電圧レベルまたは期間のいずれかが制限を超えると、デバイスがダメージを受ける可能性があります。

pastedImage_0.pngpastedImage_1.png

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ShoichiS_76
Employee

図上の文中に、誤訳があったため更新しました:VCC/VIO+0.5V → VIO/VCC+0.5V

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Last update:
‎Jul 01, 2020 06:55 AM
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