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功率mosfet (Si/SiC) 论坛讨论

ZhaiL
功率mosfet (Si/SiC)
碳化硅mosfet与硅mosfet相比,结构上有何区别?这种结构上的区别会造成性能上的哪些区别? https://www.zhihu.com/question/453242371/answer/2817649464#comment-10465120494?notificationId=1614044801367748609... Show More
ZYM
功率mosfet (Si/SiC)
当我们想通过热电偶测量MOS(D2PAK封装)结温时,是把热电偶贴于D极散热片上(TC)还是贴于MOS顶部环氧树脂上比较准确的评估MOS结温?结心至MOS顶部热阻应该还远大于结心至D极散热片(CASE),热量主要通过D极散热片从PCB耗散,所以热电偶贴于贴于MOS顶部测量TJ应该准确的更高。 Show More
enkey
功率mosfet (Si/SiC)
Hi,       我们最近有买一批 IPW65R080CFDA ,客户收到后发现管脚有明显划痕,请问这个是否因过管装的原因造成的,对功能是否没有影响?    急盼回复,谢谢!     Show More
ziwind
功率mosfet (Si/SiC)
         设计时遇到个问题,选用的DCDC输出12V,无法带重载启动,必须得电压稳定输出后,方可正常带重载。          为了解决这个问题,验证时,选择了三极管+功率PMOS管设计,PMOS的D、S极串联在DCDC与负载之间,G极通过三极管进行控制,Ton延时时间做到了1s,原理可参考... Show More
yang
功率mosfet (Si/SiC)
IPB048N15N5使用时随着输入电压抬升,栅极震荡越发明显,如何抑制此现象。   Show More
yang
功率mosfet (Si/SiC)
栅极震荡
solved msg Solved
在使用2EDS8265H驱动超结节mosIPB60R040CFD7时 栅极震荡明显,导致系统无法工作,请问如何改善该现象     Show More
Bellawu
功率mosfet (Si/SiC)

对比IGBT,SiC MOSFET的开关速度很快,测试波形的振荡很严重,不知道是不是干扰还是真实的振荡,怎么才能排除干扰测试出真实的波形?请详细解答,请推荐英飞凌相关产品或解决方案。

Desheng_Zhang
功率mosfet (Si/SiC)
举个例子,比如逆变器峰值输出电流指标为 100A,按照传统硅基器件Si IGBT选型方法应留一倍裕量,即选择 200A 额定电流的Si IGBT模块。但是 SiC 器件耐高温性能突出,选型SiC Mosfet时是否可以留较小裕量甚至不留裕量? SiC Mosfet模块的额定电流应该怎么选择?是大于等... Show More
Bellawu
功率mosfet (Si/SiC)

碳化硅MOSFET相比于硅基功率器件允许更高的开关频率,对电机及控制器的轻量化和小型化具有很大意义,电动汽车上采用SiC-MOSFET后,如果要提高开关频率,对软件有哪些方面的影响?英飞凌产品和解决方案推荐。

讨论版信息

功率mosfet (Si/SiC)

Power MOSFETs已成为大多数工业和汽车应用的组成部分。英飞凌提供业界领先的解决方案,满足各式各样的需求。英飞凌创新的OptiMOS™、CoolMOS™和StrongIRFET™低压和中压Power MOSFETs在电源系统设计的关键规格方面始终满足最高的质量和性能要求,例如导通电阻和品质因数。此外,CoolMOS™超级结MOSFET为消费、工业和汽车应用提供了丰富的选择,如照明、电视、音频、服务器/通信、太阳能、电动汽车充电、DC-DC转换器、车载充电器等。在本论坛中,你可以发布你对英飞凌工业级和汽车级Si/SiC MOSFET的问题、评论和反馈。