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cross mob
zbf106223512
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Distributor - Weikeng(GC)
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Dear Sir,

请帮忙看一下Mos管IPW65R050CFD7A的规格书中分别给出了MOS和二极管的dv/dt,但是实际测试时发现反向恢复时发生dv/dt的时刻MOS沟道和体二极管都截止,电流是给CDS充电。所以发生反向恢复时这个dv/dt具体限制是看二极管的限值还是MOS管的,二者具体区别是什么。

zbf106223512_0-1693755783608.png

 

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yifei_y
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请参考文档第13/14页。

yiye_4841451_0-1693797952621.png

这里介绍了两种dv/dt失效机制。第一种是在MOSFET开关的瞬间,高dv/dt会给CGD充电从而拉高Vgs,使器件误导通。

第二种是反向恢复时,体二极管从续流状态到反向截止状态,使寄生的BJT误导通,所以反向恢复时是看二极管的dv/dt。

在原帖中查看解决方案

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yifei_y
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请参考文档第13/14页。

yiye_4841451_0-1693797952621.png

这里介绍了两种dv/dt失效机制。第一种是在MOSFET开关的瞬间,高dv/dt会给CGD充电从而拉高Vgs,使器件误导通。

第二种是反向恢复时,体二极管从续流状态到反向截止状态,使寄生的BJT误导通,所以反向恢复时是看二极管的dv/dt。

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