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cross mob
zbf106223512
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Neo_Qin
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Hi @zbf106223512 ,

也许是我之前的理解有误,客户真正希望实施的是漏-源击穿电压(Drain-source breakdown voltage)测试,如下所示:

Neo_Qin_0-1711621043390.png

如果是这样的话,V(BR)DSS的测试电路,试验程序可以参考JESD 24:1985中的相关规定。根据该标准,测试时:

1. 栅极与源极短路,即Vgs =0V.

2. 保证EUT的壳温为25℃ (由于测试电流很小,可认为Tc=25℃ 与Tj=25℃等效)

3. 在下图所示的测试电路中,逐渐升高VDD电压,直至达到稳定的目标电流值(1mA),记录此刻的实际VDD值。

Neo_Qin_1-1711621934640.png

关于测试电流,JESD 24:1985标准只是给出了如下约束条件:

该测试所用的电流应尽可能小,但必须足以确保击穿电压对电流变化相对不敏感。

对IPW65R050CFD7A来说,Infineon将这个电流定义为1mA,不同技术路线与电压等级的产品可能有所区别。对应的RL电阻应选择650V/1mA=650kohm左右。

另外,据我了解V(BR)DSS测试普遍由商用仪器执行,建议客户询问自己的仪器供应商以获取更多测试细节。

BR,

Neo

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Neo_Qin
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Hi @zbf106223512 ,

参考手册 Table10 (page 11), IPW65R050CFD7A 采用UIS(Single Pulse Unclamped Inductive
Switching)电路进行雪崩性能测试。

测试电路的细节,比如驱动电压/栅极电阻/电感值并未公开披露。

请问客户在应用中出现了雪崩问题吗?可否向我们提供详细的应用背景和测试波形以便于我们我们分析?

BR,

Neo

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zbf106223512
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Hi Neo,

并不是应用出了问题,客户目前在组建自己的QM实验室,对来料管控抽检,所以想了解下相关参数测试的步骤。

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Neo_Qin
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Hi @zbf106223512 ,

也许是我之前的理解有误,客户真正希望实施的是漏-源击穿电压(Drain-source breakdown voltage)测试,如下所示:

Neo_Qin_0-1711621043390.png

如果是这样的话,V(BR)DSS的测试电路,试验程序可以参考JESD 24:1985中的相关规定。根据该标准,测试时:

1. 栅极与源极短路,即Vgs =0V.

2. 保证EUT的壳温为25℃ (由于测试电流很小,可认为Tc=25℃ 与Tj=25℃等效)

3. 在下图所示的测试电路中,逐渐升高VDD电压,直至达到稳定的目标电流值(1mA),记录此刻的实际VDD值。

Neo_Qin_1-1711621934640.png

关于测试电流,JESD 24:1985标准只是给出了如下约束条件:

该测试所用的电流应尽可能小,但必须足以确保击穿电压对电流变化相对不敏感。

对IPW65R050CFD7A来说,Infineon将这个电流定义为1mA,不同技术路线与电压等级的产品可能有所区别。对应的RL电阻应选择650V/1mA=650kohm左右。

另外,据我了解V(BR)DSS测试普遍由商用仪器执行,建议客户询问自己的仪器供应商以获取更多测试细节。

BR,

Neo

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