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大家好,我是论坛的新成员,如果这篇文章重复了类似的帖子,请原谅。

我有一个设计需要切换大功率,以驱动 LED 进行短脉冲。

LED 灯串的电压为 45V,电流最大为 24A。

脉宽为 5 毫秒,整个脉冲串频率为 5 赫兹。

我正在考虑使用 IAUZ40N06S5L050。 这个场效应晶体管位于串的底部,根据 LTSpice,Vds 只有 24V 左右。 所以问题是,根据数据表,这有点超出安全区,但也只是稍微超出一点,我被限制在非常小的空间内,所以封装/占地面积很合适。 这样行得通吗?

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/td-p/743467

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嗨,

感谢您在英飞凌社区发帖。

能否请您介绍一下电路的更多细节? Ltspice 原理图、波形图等

您说驱动 LED 的电压是 45V,但模拟显示只有 24V,能否请您更详细地解释一下?

您可以使用下面的公式来检查工作条件是否完全符合镶嵌式晶体管的规格要求。

Tj = Zthjc * Pd + Tc

此处 Tj = 最大允许结温 ( 150 C)
Zthjc = 瞬态热阻抗
Pd = 总功率耗散
Tc = 外壳温度 ( 25 C)

Zthjc 可根据工作条件从下图中获得、

Abhilash_P_0-1713763098175.png

 

问候,
Abhilash P

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/m-p/743864

在原帖中查看解决方案

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嗨,

感谢您在英飞凌社区发帖。

能否请您介绍一下电路的更多细节? Ltspice 原理图、波形图等

您说驱动 LED 的电压是 45V,但模拟显示只有 24V,能否请您更详细地解释一下?

您可以使用下面的公式来检查工作条件是否完全符合镶嵌式晶体管的规格要求。

Tj = Zthjc * Pd + Tc

此处 Tj = 最大允许结温 ( 150 C)
Zthjc = 瞬态热阻抗
Pd = 总功率耗散
Tc = 外壳温度 ( 25 C)

Zthjc 可根据工作条件从下图中获得、

Abhilash_P_0-1713763098175.png

 

问候,
Abhilash P

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/m-p/743864

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这可能是个愚蠢的问题,但在查看安全工作区的图表时,您是使用器件关断时的 Vds 值,还是使用器件接通时的 Vds 值? 我想应该是前者。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/m-p/744369

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我附上了 LTSpice 仿真电路的简化版本。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/m-p/744388

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我在 LTSpice 中找到了 SAOtherm 工具,我相信我已经找到了问题的答案。 谢谢

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Proper-device-selection-for-high-power-pulsed-switching-N-channel-FET/m-p/745265

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