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TRAVEO™ T2G MCUにおけるLVDのエッジ選択

TRAVEO™ T2G MCUにおけるLVDのエッジ選択

arakawa
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このKBAはTRAVEO™ T2G MCUにおけるLVDのエッジ選択について説明します。

Original KBA: The edge selection for LVD in TRAVEO™ T2G MCU

LVDはエッジ選択で設定された動作トリガにより低電圧または高電圧を検出します(PWR_LVD_CTL/2レジスタのHVLVD1/2_EDGE_SELビットを設定する)。エッジ選択はLVDに実装されたコンパレータの出力からどのエッジをトリガとして動作させるかを選択します。

VDDD電圧の挙動に対して、以下にどのエッジを選択すべきかを説明します。

  1. VDDD電圧が低下し、VDDD電圧が設定されたしきい値電圧を超えた場合:

この場合、コンパレータ出力はHighからLowに変化します。したがって、HVLVD1/2_EDGE_SELビットを"0x2: FALLING"または"0x3: BOTH"に設定するとLVDはVDDDの低電圧を検出します。

  1. VDDD 電圧が上昇し、VDDD電圧が設定されたしきい値電圧を超えた場合:

この場合、コンパレータ出力はLowからHighに変化します。したがって、HVLVD1/2_EDGE_SELビットを"0x1: RISING"または"0x3: BOTH"に設定するとLVDはVDDDの高電圧を検出します。

More information

  • TRAVEO™ T2G Architecture TRM
  • TRAVEO™ T2G Register TRM

 

Note:

このKBAは次のTRAVEO™ T2G  MCUに適用されます。

  • TRAVEO™ T2G CYT2xx シリーズ
  • TRAVEO™ T2G CYT3xx シリーズ
  • TRAVEO™ T2G CYT4xx シリーズ
  • TRAVEO™ T2G CYT6xx シリーズ
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