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AURIX™ MCU: プログラムフラッシュとデータフラッシュの保持期間の違い – KBA235019

AURIX™ MCU: プログラムフラッシュとデータフラッシュの保持期間の違い – KBA235019

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Original KBA: AURIX™ MCU: Difference in retention time of program flash and data flash – KBA235019

バージョン
: **

AURIX™ MCUでは、プログラムフラッシュのデータ保持期間は20年ですが、データフラッシュのデータ保持期間は10年となります。

いくつかのアプリケーションではデータフラッシュは継続的に書き込まれますが、プログラムフラッシュは生産中に数回またはおそらく1回だけ書き込まれる為です。

どちらのタイプのフラッシュも異なるテクノロジーを使用しているため、保持期間も異なります。

データフラッシュの10年間のデータ保持はデータが一度書き込まれ、二度と更新されない場合にのみ有効です。

 

表1 TC29xのフラシュターゲットパラメータ

パラメータ

シンボル

単位

 / テストコンディション

最小

標準

最大

 

 

プログラムフラッシュ保持期間、セクター

tRET CC

20

-

-

最大1000回の消去/プログラムサイクル

EEPROMxセクタ当たりのデータフラッシュ耐久性

NE_EEP10 CC

125000

-

-

サイクル

最大データ保持期間10

HSMxセクタ当たりのデータフラッシュ耐久性

NE_HSM CC

125000

-

-

サイクル

最大データ保持期間10

 

注: このKBAは次のAURIX™ MCUシリーズに適用されます:

  • AURIX™ TC2xx シリーズ
  • AURIX™ TC3xx シリーズ
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