从 https://www.cypress.com/documentation/application-notes/an88889-mitigating-single-event-upsets-using... 看没有内置ECC的异步SRAM是 >150 FIT/Mb.
单Bit翻转情况发生有没有什么规律?固定某一种情况(例如特定时间写特定数据)还是随机的?
有没有做A-B-A 测试,就是将出现翻转的片子从电路板取下,换上未出现翻转的的片子,再测试看哪个片子会出现翻转。
另需要看下CY62187EV30LL-55BAXI的电气特性,检查片子供电电压,控制器访问这颗片子的时序是否满足要求。
没有规律不容易出现,目前发货70多台设备用户使用几个月了现场出现2台这种情况了,共生产了1000台剩余的还不敢发货。我们找问题时复现了两台,都是单bit翻转,出现问题的设备很难再复现。SRAM只是开机的时候才有读写,设备起来后不会对其进行读写操作。设备起来后抓了改芯片的片选没有对其进行使能,设备运行20多天重启设备就发现单bit错误了(不清楚是什么时候翻转的)。另多台设备开关机测试十万次没有发现单bit错误,应该不是误写或上电冲击导致,误写不会单bit变化。
SRAM数据重新写进去后又是对的,单bit翻转是软错误不是硬错误。
另外,请问这个系列的SRAM单比特翻转的概率大概是多少呢?我查到贵司带ECC校验的SRAM出错概率是 <0.01 FIT/Mb,但是没有查到CY62187这个系列的概率。
带ECC校验的SRAM出错概率是 <0.01 FIT/Mb,这个信息是哪里找到的?
另,单bit翻转软错误具体什么现象?例如是主控向CY62187某地址写入00,相同的地址读出01? 主控比较写入和读出的数据不一致,就报错了? 是这个逻辑吗?
是这样的,报错后怎么读都是这样,重新写入后就对了。不是固定地址,不容易复现,目前测试了几个月复现了两次。 带ECC纠错的异步SRAM失效率为< 0.1FIT/Mbit(上面写错了),在文档编号为001-92328的文档里查得。
从 https://www.cypress.com/documentation/application-notes/an88889-mitigating-single-event-upsets-using... 看没有内置ECC的异步SRAM是 >150 FIT/Mb.