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cross mob
hyt022
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1200W,总是烧开关管,想找下FAE请教下

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Daisy_T
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@hyt022 ,您好!

先把Vcc电压调试稳定。从您的描述看,一方面是从Vcc电源着手,看看这个电源的稳定性,带载能力;另一方面,Vcc引脚后面的电容也要检查一下,是不是有漏电流特别大的?

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Daisy_T
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@hyt022 ,您好!

型号应该是ICE3PCS03G, 对吧?

这款是PFC控制+驱动芯片,具体的测试条件是什么?烧的是PFC开关?同时有没有其他器件损坏?

 

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hyt022
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是的,是ICE3PCS03G,90-264VAC输入,LLC部分 DC输出54.8v带负载10A左右就烧PFC开关,没其它器件损坏。

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hyt022
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可给一下东莞的FAE联系方式吗

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Roy_Liu
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Dear,

这个论坛没有办法直接联系到FAE, 一个办法就是联系你的销售渠道 - 从哪进的货就联系到哪里. 我感觉要解决这个问题需要你提供更多细节,另外一个support渠道就是通过这个direct channel:  https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/company/contacts/support/ 便于你提供细节信息。

Roy_Liu_0-1680071514010.png

 

Roy Liu
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hyt022
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大概是这样的,AC90-265V输入,ICE3PCS03G的vcc电压11.5V,设置输出385v跳动大,带一点负载都带不起。后把VCC电压调高到12.5V,输出385V稳定。带负载50W递增测试,到600w左右PFC开关突然烧掉。这PFC电源设计是1200W的

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Daisy_T
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@hyt022 ,您好!

这个型号的Vccon'的典型值就是12V,最大值12.9V,所以您11.5V的电压肯定是不够的。考虑到工作时,有一定的电压波动,一般建议用是15V左右。

您这种情况,请提高Vcc电压再测试一下看看是否有所改善。

另外Vcc与地线之间的电容也可以考虑调整一下。

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Daisy_T
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hyt022
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我这边还要提供那些细节才能知道是什么原因引起烧坏PFC开关呢

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Daisy_T
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@hyt022 ,您好!

先看看是不是Vcc电压不够造成的。如果确定不是这个原因,那么就需要Mosfet的型号,以及Mosfet在功率慢慢上升过程中的Vgs,Vds,Id的波形对比(比如选择100W,350W,600W做对比),最好是抓到烧毁瞬间的波形。

另外AC90-265V输入范围这么大,对Mosfet损坏没有影响吗?比如90V的时候更容易烧坏Mosfet?

 

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hyt022
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这是仿照一量产板先做来测试,板走线按原板,mosfet是同型号。升压电压也是原电感。一般测试输入电源就是110和220VAC。刚开始测试,VCC11.5V左右,但PFC不起作用,输出达不到设置的385V,且电压跳动。后接一外部12V电源,PFC385V输出正常,但慢慢带载到一半功率(500-600W左右)就烧PFC开关(110和220V时都烧)

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hyt022
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把VCC电压提高到16.3V(未与ICE3PCS03G的VCC pin相连时测到),与ICE3PCS03G的VCCpin连接测量电压14.8V,PFC输出带一点小负载测量VCC pin的电压为13.4V。原板的也就是VCC 12.5发左右,很稳定。

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Daisy_T
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@hyt022 ,您好!

先把Vcc电压调试稳定。从您的描述看,一方面是从Vcc电源着手,看看这个电源的稳定性,带载能力;另一方面,Vcc引脚后面的电容也要检查一下,是不是有漏电流特别大的?

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喜马拉雅之雪
Employee

Hi 亲:

不知道是否方便提供原理图和PCB图;PFC电感参数?

由于IC仅是电源的控制“大脑”,“手脚(功率器件)”问题找大脑;一般无解。我们需要了解“手脚”所处环境和工作状态,“望闻问切”后才有机会告诉你;可能的所在问题。

关于你提及的“Vcc turn ON”是☞IC为保护MOSFET、IGBT等开关器件,在正常导通后不进入线性区而设置的工作翻转电压。并非工作最大值。只有超过Turn ON最大值,才能满足IC批量启动条件。

因此;Vcc最低工作极限是12.9V,对于硅器件;推荐13.5~15V。

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hyt022
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非常谢谢您的帮助!等一下我发原理图。测试中发现这vcc在空载时有15v,PFC输出电压带载越重VCC电压跌得越低,到11.5V左右

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亲;非常感谢你的信息。它们如此重要。

关于PFC炸馆,首要问题是原理可能出现重大缺陷。见截图:

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由于PFC开关是BOOST拓扑,导致明显的高频电流源特性。即电流不能突变,遇阻则升压。

由于NTC和PCB高频阻抗,导致稍有电流,就会在MOSFET漏极产生过压。而并连的1nF电容;无法应对较大电流时,就会发生MOSFET击穿。

建议用最短和足够宽的铜箔短路PFC二极管阴极至电解电容正。如果没有;可以用多更细线并排并联;以获得较小高频阻抗。

有个问题,75mRPFC电流取样电阻是啥规格?如何排布的?

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hyt022
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hyt022
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PFC电感ETQ40 0.1*180P 35Ts  L:115uH

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hyt022
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测试时是用一根短导线短接NTC的。电流取样电阻是2512的合金电阻。

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亲:

继电器端口;短路了没?

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短路了

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短路BC1、BC2,R23、24减至1R。

按图示改电流取样:

_0-1680170081726.png

注意;取样地线必须粗!建议用不窄于5mmX0.15mm铜箔,包麦拉片后直拉连接。

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hyt022
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top.png图片为电流取样电阻bot.png

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hyt022
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1EDN7511B可以完全替换UCC27511A吗

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没问题,可以直接用。

由于是PFC;高压环境应用,考虑到欠压保护,更推荐1EDN8511B。

这主要是高压MOSFET Vth值较高,正常驱动不应低于6V。否则;会因进入线性区而炸鸡。

4V左右门槛驱动,主要面向48V及以下系统的中低压MOSFET。由于这类MOSFET Vth低且跨导足够大,很多已衍化成可4.5V驱动逻辑场效应管。

供参考斟酌。谢谢!

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