Announcements

Register now for the most anticipated Asia Pacific Power Seminar 2022

Tip / Sign in to post questions, reply, level up, and achieve exciting badges. Know more

Power Management ICs Forum Discussions

MS_19060803
Level 4
50 questions asked 50 replies posted 100 sign-ins
Level 4

いつもお世話になっております。

ICE5BR2280BZを検討しております。

Rstartupに関して他の投稿を確認いたしました。

Rstartupによるdelayはtstartupと比べると無視できる時間になります。
すなわち:tstartup_R << tstartup_total
そのため、Rstartupを変えてもtstartupが変わらないと考えればいいですとございました。

推奨値は50 MΩ (20 MΩ~100 MΩ)。

2点質問ですがございます。

・500kΩ(推奨値以外の抵抗値)を使用した場合はどのような問題が考えれますでしょうか?

Rstartupの消費電力はどのように考えればよろしいでしょうか?

以上です、よろしくお願いいたします。

0 Likes
1 Solution
TakashiM_61
Moderator
Moderator 750 replies posted 500 replies posted 250 solutions authored
Moderator

Rstartupを流れる電流は、CoolMOS内部のインプットキャパシタンス(Ciss)を充電するために使用されます。
時間間隔tstartup_Rは非常に小さく、この抵抗値を小さくすると電流が増加し、ゲートターミナルでのdi/dtが高くなります。

抵抗が10倍以上減少するため、消費電力は"I ^ 2 * R"以上増加します。この消費増加分は抵抗で処理する必要があります

View solution in original post

0 Likes
4 Replies
TakashiM_61
Moderator
Moderator 750 replies posted 500 replies posted 250 solutions authored
Moderator

Rstartupを流れる電流は、CoolMOS内部のインプットキャパシタンス(Ciss)を充電するために使用されます。
時間間隔tstartup_Rは非常に小さく、この抵抗値を小さくすると電流が増加し、ゲートターミナルでのdi/dtが高くなります。

抵抗が10倍以上減少するため、消費電力は"I ^ 2 * R"以上増加します。この消費増加分は抵抗で処理する必要があります

0 Likes
MS_19060803
Level 4
50 questions asked 50 replies posted 100 sign-ins
Level 4

いつもお世話になっております。

ご回答有難うございます。

ゲートターミナル(黄色のハイライト)のdi/dtが高くなり、抵抗の消費電力が増加する事は理解できるのですが、抵抗値を小さくしてもデバイスは破損はしないと考えて問題ございませんでしょうか?

MS_19060803_1-1656989814186.png

Rstartup(赤丸)に流れる電流ですが、例えばCbusに印加されるDC電圧が90Vの時はRstartupの抵抗値で単純に割ればよろしいでしょうか?

デバイス内にツェナーダイオードなどが内蔵されていないかの確認になります。

以上、よろしくお願いいたします。

0 Likes
MS_19060803
Level 4
50 questions asked 50 replies posted 100 sign-ins
Level 4

いつもお世話になっております。

この件、アドバイスを頂けませんでしょうか?

以上、よろしくお願いいたします。

0 Likes
MS_19060803
Level 4
50 questions asked 50 replies posted 100 sign-ins
Level 4

いつもお世話になっております。

再度投稿致します。

この件ですが、アドバイスを頂けませんでしょうか?

以上、よろしくお願いいたします。

0 Likes