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Power MOSFET

ambition
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根据自己推导的 mosfet损耗计算式计算得到的损耗与IPOSIM仿真得到的相差很远,如下是BOOST电路下管的损耗计算,麻烦哪位能告知哪里有问题。或者哪位有比较好的计算损耗的资料,网上的论文好多都是根据Qgd,Qgs计算,但英飞凌的芯片手册并不提供这些。

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Jingwei
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Jingwei
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