cancel
Showing results for 
Search instead for 
Did you mean: 

Power MOSFET

ambition
New Contributor

兄弟们,我想利用数学模型计算SIC MOSFET的损耗,自己推导公式如下,计算结果与datasheet的Eon结果偏差太大,看论文中考虑了寄生电容的非线性,采用了了分阶段恒定电容模型,猜测是这个导致的偏差,我用的管子FF6MR12W2M1P_B11

ambition_0-1637979788598.png

 

0 Likes
1 Solution
Jingwei
Moderator
Moderator

Hi ambition,

首先开关损耗值一般参考DPT(Double pulse test)

Datasheet中Eon,Eoff也是通过DPT测试得到。关于DPT请参考附件中的文件。这个测试用来测得最坏情况下的开关损耗。

关于你提出的公式,非常详尽的计算过程我建议参考这本书GaN Transistors for Efficient Power第三版的第138页到147页,应该会有所启发。

实际工程应用中也一般选用最坏情况下的开关损耗值,来避免后续设计中的问题。

祝好,

Steven

 

View solution in original post

0 Likes
1 Reply
Jingwei
Moderator
Moderator

Hi ambition,

首先开关损耗值一般参考DPT(Double pulse test)

Datasheet中Eon,Eoff也是通过DPT测试得到。关于DPT请参考附件中的文件。这个测试用来测得最坏情况下的开关损耗。

关于你提出的公式,非常详尽的计算过程我建议参考这本书GaN Transistors for Efficient Power第三版的第138页到147页,应该会有所启发。

实际工程应用中也一般选用最坏情况下的开关损耗值,来避免后续设计中的问题。

祝好,

Steven

 

View solution in original post

0 Likes