cancel
Showing results for 
Search instead for 
Did you mean: 

Power MOSFET

ambition
New Contributor

The loss of loss obtained by the MOSFET loss calculation based on the MOSFET loss is far from the IPOSIM simulation, as follows is the loss calculation of the Boost circuit, which can inform where there is a problem.Or which is a better calculation loss information, there are many online papers that are calculated according to QGD, QGS, but the chip manual of Infineon does not provide these.

_0-1637668634701.png

 

0 Likes
1 Solution
Jingwei
Moderator
Moderator

好的,总之希望我的回复可以帮助到您。在实际应用中的开关损耗与仿真或者是计算值总会出现多多少少的差距。原因是Id与Vds的非线性以及众多的寄生参数。计算损耗的目的是控制损耗(效率)以及散热。如果您还有别的问题,欢迎再次提问。

Steven

View solution in original post

0 Likes
8 Replies
ambition
New Contributor

I wonder if the loss calculation of SIC MOSFET is different from that of MOSFET

0 Likes
Jingwei
Moderator
Moderator

您好,

我看到了您之前提交了一个相同的问题,我会在这个case下面回复您。另外,这个论坛是可以使用中文提问的,有很多中文专家会浏览并解决您的问题。

首先SiC MOSFET的损耗计算方式整体上是和普通MOSFET相同,如果想知道更细微的差别,比如米勒平台在SiC上可能是线性的而不是水平的。我建议您可以在IEEE上搜一些论文,会有更详细的讲解。

针对MOSFET损耗,不同应用场景下损耗分配也会有差别。损耗计算值,仿真值以及实际板子上的MOSFET损耗,也多多少少会有差别,主要在于开关损耗难以估计。一般损耗可以分为静态损耗,开关损耗,死区损耗。我附件中的文件很好得阐述了如何根据Datasheet计算损耗。

您最后提到的Qgd与Qgs,我们SiC产品的Datasheet里面是有的,您可以具体指出哪些内容没有吗?

祝好,

Steven

0 Likes
ambition
New Contributor

你好,很感谢您的回复。

我是采用附件中的这个MOSFET计算的损耗,这个DATASHEET确认是没有Qgd Qgs,我分别在600V电压,200A电流,100A电流,50A电流下计算了导通损耗和开关损耗,在电流200A时计算结果与仿真相差不大,但随着电流减小,开关损耗与IPOSIM结果相差甚远,这也正是我的疑惑,还有就是导通损耗,导通损耗的计算式我觉得没有什么问题,但无论那种情况与仿真结果的一半不到,期待您的回复,另外我也会根据你的建议查找更多论文继续研究。

0 Likes
Jingwei
Moderator
Moderator

感谢您的回应。

我对仿真与计算分别有几点疑问。

对于选型,您选的这款器件是半桥模组进行仿真,而Datasheet中给出的MOSFET数据是单个MOSFET的数据,这意味着Rdson可能出现串联?这个是否对您导通损耗的计算有影响?

针对开关损耗,Datasheet中有给出Eon与Eoff,并且给出了在不同负载与Rg的情况下,Eon与Eoff的值,这些值可以更简单的应用在MOSFET开关损耗的计算上面。您是否有利用那些数据来计算开关损耗?

祝好,

Steven

0 Likes
ambition
New Contributor

谢谢您的提醒,有关导通损耗您确实提醒了我,这是个半桥模块,我只用了单个MOSFET,这个我还真不清楚是否出现串联。

关于导通损耗,我知道确实可以用datasheet中的Eon Eoff估算,且结果与仿真结果接近,但我是想通过理论计算得到,感谢您的回复,我再研究一下。

0 Likes
Jingwei
Moderator
Moderator

好的,总之希望我的回复可以帮助到您。在实际应用中的开关损耗与仿真或者是计算值总会出现多多少少的差距。原因是Id与Vds的非线性以及众多的寄生参数。计算损耗的目的是控制损耗(效率)以及散热。如果您还有别的问题,欢迎再次提问。

Steven

View solution in original post

0 Likes
ambition
New Contributor

不好意思,我有个问题忘问了,IPOSIM里面仿真,boost电路输出电压为什么要限制在400V以上,那很多低压芯片想仿真损耗的话是怎么办

0 Likes
Roy_Liu
Moderator
Moderator

新问题建议新开一个帖子啊

Roy Liu
0 Likes