PSoC™ 4200M 因未知原因永久損壞

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親愛的所有人
我經常使用這款晶片,從 CY8CKIT-043 原理圖開始,添加周圍的周邊設備。
我見過一些設備由於處理不當而死機,例如連接器與POWER_DRILL2GO的熱連接和數據線無法確保首先連接接地。
如果芯片完全被磚塊,通常會吸出比預期更多的電流並變熱。
如果只有部分 GPIOS 因 EOS 或 ESD 而損壞,則可以輕鬆檢查哪個是因為保護二極體被打破或降級而導致的原因。
但是,在我的設備中,這些都不發生。 它在啟動並運行 3 小時後,沒有任何明顯的外部事件而死亡。 二極管很好,芯片消耗電流很少,但其所有 VSS 和 VDD(+5V)線路都正確連接。 它就像處於永久 RESET 狀態,但 RESET 線很高。 我甚至嘗試更換石英晶體,認為它可能會因振動而破裂,但我無法使芯片再次生活,更糟糕的是,我不知道該怎麼辦來防止它再次發生!
任何幫助都非常歡迎。
順便說一句,由PSoC™晶片運行的設備是小型 4 衝程汽油引擎的引擎控制單元,即POWER_DRILL2GO無人機。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/PSoC-4/PSOC-4200M-permanently-damaged-by-unknown-cause/td-p/660175

1 解決方案
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哪些負載連接到PSoC™ GPIO?我見過這樣的情況:GPIO 連接到POWER_DRILL2GO FET 的閘極,而 FET 的負載連接到 +12V。如果您在 FET 上的閘口進行短路。 PSoC™發出「噗」的一聲。有一件事要檢查。

----丹尼斯·塞格因,PSoC 應用首席工程師

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哪些負載連接到PSoC™ GPIO?我見過這樣的情況:GPIO 連接到POWER_DRILL2GO FET 的閘極,而 FET 的負載連接到 +12V。如果您在 FET 上的閘口進行短路。 PSoC™發出「噗」的一聲。有一件事要檢查。

----丹尼斯·塞格因,PSoC 應用首席工程師

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/PSoC-4/PSOC-4200M-permanently-damaged-by-unknown-cause/m-p/660252

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請聯絡您當地的 Infineon 銷售辦事處或 FAE,並退回零件以進行故障分析。
----丹尼斯

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哇,丹尼斯 _46,看來你搞定了!
我的 4 個 GPIOS 控制 MOSFET,負載連接到 +12V。 其中一個將 D 縮短到 S,測量的電阻 D 對閘極低(約 350 歐姆)。
非常感謝您的幫助!

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/PSoC-4/PSOC-4200M-permanently-damaged-by-unknown-cause/m-p/661085

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我自己就這樣被燒傷了
我建議在 GPIO 和 FET 閘極之間加一個限流電阻。
資料表顯示,過載時 GPIO 的最大輸入電流為 0.5 mA。內部的
共識是這過於謹慎了。如果在 GPIO 和 FET 閘之間放置 1 k,這會限制
在 G 到 D 短路的情況下,電流約為 6.5 mA。確定上升時間所需的電阻值
要求AUTONOM_DRIVING_CAR FET 上的閘極電荷。如果您的 FET 汲極負載是靜態的,那麼您可以使用
更高的價值;如果您的 FET 漏極負載是 PWM,請讓 FET 下降時間決定電阻值,但是
在任何情況下都不要低於 500 歐姆。如果您需要更快,那麼您必須使用閘EVAL_BDPS_DRIVER晶片以確保安全。
----丹尼斯

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/PSoC-4/PSOC-4200M-permanently-damaged-by-unknown-cause/m-p/661095

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問題是我在 GPIO 和 MOSFET 閘極之間確實有一個 1K 電阻。
但我的電池電壓接近 15v,負載是有刷EVAL_NLM0011_DC_RE WM_MOTOR_CONTROL_01燃油泵,其短時電流尖峰高達平均額定電流的 10 倍。啟動電流也比平均電流高出 3 倍,持續時間約 10 毫秒。我計劃在WM_MOTOR_CONTROL_01附近安裝電容器,以消除雜訊尖峰,但我也會在最終 PCB 中使用更大的 MOSFET 和 4k7 限流電阻。
再次感謝您提供的非常寶貴的幫助。
-丹尼爾。

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