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Nor Flash Forum Discussions

toyac_1469256
Level 4
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S29JL032J70TFI020を実装した基板を、55℃又は-5℃の環境に数時間保管した後に、

通電すると、フラッシュメモリーのアクセス(イレース・ライト・リードチェック)がデータシートのスペック内ですが、非常に遅くなりました。

一度遅くなった基板はこれ以降も遅いのですが、このような現象、傾向は起こりますでしょうか?

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下記について確認させてください。

1.具体的にどのアクセス(Erase or Program)が、どの程度遅くなったのか?

2.保管前と保管後での条件の違い(データパターン等)

3.実際にイレース・ライト・リードしている温度は?

よろしくお願いいたします。

Nada

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1.具体的にどのアクセス(Erase or Program)が、どの程度遅くなったのか?

 → 10倍程度遅くなった感覚です。

2.保管前と保管後での条件の違い(データパターン等)

 → 違いはありません。

3.実際にイレース・ライト・リードしている温度は?

 → 常温(15~25℃付近)です。

宜しくお願い致します。

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Anonymous
Not applicable

55℃ または -5℃での放置により、消去や書き込み時間が長くなることはありません。

データシートで規定している消去や書き込みのMax値は、90℃, Vcc=2.7V, 100万回消去後という最悪条件下での時間です。

アクセス(Erase or Program)が、10倍程度遅くなったと言われますが、実際に消去、書き込みに要している時間について、オシロスコープ等を使用しデバイスのRY/BY#信号のLow期間を測定していただけますか?

Nada

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