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Non Volatile RAM (F-RAM & NVSRAM)

JuIn_1625121
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FRAMには一般的にインプリントによる劣化が起きる、とされていますが、

何か対策(構造etc...)は行われておりますでしょうか?

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RyanZhao
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ご指摘ありがとうございます。

逆の値の保持( Opposite State (OS) retention)について、温度プロファイルの特定の累積シナリオを使用して、OSの保持時間を計算できます。以下ドキュメント、ご参照ください。

 

 

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RyanZhao
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すみませんが、インプリントについて、詳しく説明していただけませんでしょうか?

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JuIn_1625121
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お世話になっております。

FRAMでは分極の向きにより値(0か1か)を保持しておりますが、

同じ値を保持し続けるとその分極の状態が続くことで癖がついてしまい、

逆の値(=逆の向きの分極)にしにくくなる現象をインプリントと呼ぶ、との認識です。

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RyanZhao
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ご指摘ありがとうございます。

逆の値の保持( Opposite State (OS) retention)について、温度プロファイルの特定の累積シナリオを使用して、OSの保持時間を計算できます。以下ドキュメント、ご参照ください。

 

 

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JuIn_1625121
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資料ご教示ありがとうございます。

目を通させていただきましたが、インプリントへの対策については記載されていないようでした。

特別な対策はされていないという事でよろしいでしょうか?

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RyanZhao
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ご返事ありがとうございます。特別な対策はされていないが問題ないです。データのOS保持時間は、資料内の計算値を満たすことができます。