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当我尝试在高负荷下使用 “六步” 方法驱动电机时(例如 70%~90%) 在我的电路板上,电桥驱动器报告了过流故障。 低负荷(例如 20%~60%) 是正常的。

1。我的设置 如下:

1.1 脉宽调制设置

Omicron1314_0-1692666965487.png

Omicron1314_0-1692666187963.png1.2 网桥驱动程序

Omicron1314_1-1692666409896.png

1.3 开关阶段任务在 500us 中调用。

1.4 MOSFET 参数

Omicron1314_3-1692666763343.png

 

Omicron1314_2-1692666731615.png

你能给我一些建议来解决这个问题吗?

 

 

 

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你好 @Omicron1314 

对于过流保护,它是通过监控 MOSFET 的 Vds 来实现的。 计算简单,Vds=Rdson * I. 您将 Vds 阈值设置为 0.25V,这可能太低了。 您应该根据自己的硬件来设置此值。

有关过流的更多信息,请参阅 tle987 x_um-userManual。

LinGuohui_0-1692671690628.png

 

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高占空比(如70%-90%),在这种高占空比条件下,电机运行要快,也许你 CAN 减少 开关相任务周期。

CAN 确认是什么触发了过电流?

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原因可能是错误的切换阶段任务周期。 当我将开关阶段任务放在大厅 isr 中时,这很正常。

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我尝试调整 DS 监控阈值,但没有效果。是否还有其他原因?

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我尝试修改编译器的优化级别。 当优化级别为 0 时,就会出现问题。

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当我使用 AC5 编译器编译我的项目时,以下代码不起作用。 所以我设置了更高的占空比,芯片会报告过流。 如果我使用 AC6 编译器,则一切正常。

Omicron1314_0-1693277431674.png

 

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