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DS モニタリングしきい値

正しい DS 監視しきい値を確認するにはどうすればよいですか。

構成ウィザード / BDVR/ ドレイン - ソース モニタリング/ DS モニタリングしきい値 / 0.25。

リファレンス 26.3.1.2 過電流検出-ユーザーマニュアル

スレッショルドを0.25に設定し、ハイサイドVdsを測定すると、割り込みが外部LEDで処理されていること CAN 確認できます。 この負荷により、しきい値が 0.25 に設定された過電流状態が作成されます。

しきい値を 0.50 に変更し、同じ負荷で、Vds がしきい値を超えないため、過電流状態は発生しません。

私の質問は、DSモニタリングしきい値を適切に選択する方法です。

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1 解決策
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こんにちは @RLGeorge

図に示すように、外付けMOSFETのドレイン-ソース間電圧(VDS)はコンパレータによって監視されます。 DS-モニタリングしきい値(DSMONVTH)は、コンパレータの電圧しきい値を設定します。 外部MOSFETのVDSが設定された制限を超えると、ドライバがオフになります。

sk7211_0-1694077285513.png

 

DSモニタリングスレッショルドの選択は、使用する外付けMOSFETのRdsonと最大電流によって異なります。

たとえば、8mΩ MOSFET (Rdson=8mΩ)、DSMONVTH = 0.5Vなどです。

イモスフェット = DSMONVTH/Rdson = 0.5V/8mΩ = 62.5A

MOSFETのDSモニタリングは過電流状態を検出し、電流が62.5Aを超えると位相を遮断します。

したがって、DSMONVTHの選択は、MOSFETのハードウェア仕様によって異なります。

よろしくお願いいたします
サヒル・クマール

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3 返答(返信)
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こんにちは @RLGeorge

図に示すように、外付けMOSFETのドレイン-ソース間電圧(VDS)はコンパレータによって監視されます。 DS-モニタリングしきい値(DSMONVTH)は、コンパレータの電圧しきい値を設定します。 外部MOSFETのVDSが設定された制限を超えると、ドライバがオフになります。

sk7211_0-1694077285513.png

 

DSモニタリングスレッショルドの選択は、使用する外付けMOSFETのRdsonと最大電流によって異なります。

たとえば、8mΩ MOSFET (Rdson=8mΩ)、DSMONVTH = 0.5Vなどです。

イモスフェット = DSMONVTH/Rdson = 0.5V/8mΩ = 62.5A

MOSFETのDSモニタリングは過電流状態を検出し、電流が62.5Aを超えると位相を遮断します。

したがって、DSMONVTHの選択は、MOSFETのハードウェア仕様によって異なります。

よろしくお願いいたします
サヒル・クマール

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事前の回答ありがとうございます。

参考に波形を添付しました。 また、この機能のBDVRへの潜在的な変更についても文書化しました。

DS-Monitoringしきい値を0.25に設定すると、モーターが最初に通電された突進期間中にトリガーされます。 Hブリッジがイネーブルされると、出力は70mSのPWM処理され、突入電流が制限されます。

IAUA250N04S6N005モスフェット。 あなたの方程式を使用すると、しきい値でのIdアンペアは284で、Tjは140Cで、設計限界です。 温度はRdsonに影響を与えます。 DS 監視しきい値を 0.25 Id しきい値に設定すると、現在のしきい値 CAN 245 から 455 の範囲になります。

当社のPCB上のMosFetは、制御された環境でテストされ、130アンペアの誘導突入と75アンペアのキャリーを処理し、<100C Tjで熱的に安定しています。 DSMONVTHをトリガーする突入は、通常の仕様の外側にありますが、モーター負荷に対処する必要があります。

DSMONVTH は短絡に対するフェイルセーフとして設計されており、最悪の場合の VDS の次の値に設定する必要がありますか、それともパッケージの最悪のケース ID に設定する必要がありますか? 適切な DSMONVTH 値の選択に関連する MosFet データシートで何を確認する必要がありますか?

以下に、2つのMosFitの最大条件を計算したことがわかります。

 

IQDH45N04LM6CG 提案されたオプション            
        DSMONVTH = DS 監視しきい値        
IQDH45N04LM6CG 提案されたオプション   イモスフェット = DSMONVTH/Rdson = 0.5V/8mΩ = 62.5A      
データシートに基づく最大値     DSMONTH 0.25 BDVR - DS モニタリングしきい値  
温度 C アンプ 最大 W 140C ランドソン ルドソン 0.00072 @ 140C      
140 301 65 0.00072 スレッショルドでのIDアンプ 347.2222        
100 530 170 0.0005985            
25 882 350 0.00045            
                   
デザインTj マックス = 140°C   データシートに基づくパッケージの最大値      
ティマックス = 175°C   Id シリコン制限 (Tc) IQDH45N04LM6CG      
ロジツ = 0.45 K/W   温度 C イダ ピーマックス      
温度調整済み RDSON   100           . 528 167      
ルドソン@ 175C = 0.000819   140           . 329 78      
ルドソン@ 140C = 0.00072   データシートに基づく最大ポール値      
ルドソン@ 100C = 0.000599   IQDH45N04LM6CG 100メートル 1ミリ秒  
ルドソン@ 25C = 0.00045   パルスデューティ@ 100C ワット アンプ ワット アンプ  
        22 176 189 512  
        50% 20 168 34 217  
構成ウィザードのオプション                  
DS モニタリングしきい値 = 0.25 ティッカー            
DS モニタリングしきい値 = 0.50 ティッカー            
                   
  0.25 VDC     0.5 VDC      
175°C       175°C          
ルドソン 0.000819 オーム   ルドソン 0.000819 オーム      
DS モニタリングしきい値 0.25 ティッカー   DS モニタリングしきい値 0.5 ティッカー      
現在の 305.3 アンプ   現在の 610.5 アンプ      
                   
140°C       140°C          
ルドソン 0.00072 オーム   ルドソン 0.00072 オーム      
DS モニタリングしきい値 0.25 ティッカー   DS モニタリングしきい値 0.5 ティッカー      
現在の 347.2 アンプ   現在の 694.4 アンプ      
                   
100°C       100°C          
ルドソン 0.000599 オーム   ルドソン 0.000599 オーム      
DS モニタリングしきい値 0.25 ティッカー   DS モニタリングしきい値 0.5 ティッカー      
現在の 417.7 アンプ   現在の 835.4 アンプ      
                   
25°C       25°C          
ルドソン 0.00045 オーム   ルドソン 0.00045 オーム      
DS モニタリングしきい値 0.25 ティッカー   DS モニタリングしきい値 0.5 ティッカー      
現在の 555.6 アンプ   現在の 1111.1 アンプ      
                   
                   
IAUA250N04S6N005元のREV 1デザインで使用されます          
        DSMONVTH = DS 監視しきい値        
IAUA250N04S6N005 リビジョン1デザイン   イモスフェット = DSMONVTH/Rdson = 0.5V/8mΩ = 62.5A      
データシートに基づく最大値     DSMONTH 0.25 BDVR - DS モニタリングしきい値  
温度 C アンプ 最大 W 140C ランドソン ルドソン 0.00088 @ 140C      
140 258 58 0.00088 スレッショルドでのIDアンプ 284.0909        
100 411 125 0.00074            
25 674 250 0.00055            
                   
デザインTj マックス = 140°C   データシートに基づくパッケージの最大値      
ティマックス = 175°C   Id シリコン制限 (Tc) IAUA250N04S6N005      
ロジツ = 0.45 K/W   温度 C イダ ピーマックス      
温度調整済み RDSON   100           . 411 125      
ルドソン@ 175C = 0.00102   140           . 258 58      
ルドソン@ 140C = 0.00088   データシートに基づく最大ポール値      
ルドソン@ 100C = 0.00074   IAUA250N04S6N005 100メートル 1ミリ秒  
ルドソン@ 25C = 0.00055   パルスデューティ@ 100C ワット アンプ ワット アンプ  
        22 159 170 440  
        50% 17 139 27 177  
構成ウィザードのオプション                  
DS モニタリングしきい値 = 0.25 ティッカー            
DS モニタリングしきい値 = 0.50 ティッカー            
                   
  0.25 VDC     0.5 VDC      
175°C       175°C          
ルドソン 0.00102 オーム   ルドソン 0.00102 オーム      
DS モニタリングしきい値 0.25 ティッカー   DS モニタリングしきい値 0.5 ティッカー      
現在の 245.1 アンプ   現在の 490.2 アンプ      
                   
140°C       140°C          
ルドソン 0.00088 オーム   ルドソン 0.00088 オーム      
DS モニタリングしきい値 0.25 ティッカー   DS モニタリングしきい値 0.5 ティッカー      
現在の 284.1 アンプ   現在の 568.2 アンプ      
                   
100°C       100°C          
ルドソン 0.00074 オーム   ルドソン 0.00074 オーム      
DS モニタリングしきい値 0.25 ティッカー   DS モニタリングしきい値 0.5 ティッカー      
現在の 337.8 アンプ   現在の 675.7 アンプ      
                   
25°C       25°C          
ルドソン 0.00055 オーム   ルドソン 0.00055 オーム      
DS モニタリングしきい値 0.25 ティッカー   DS モニタリングしきい値 0.5 ティッカー      
現在の 454.5 アンプ   現在の 909.1 アンプ      
                   
                   
                   
                   
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こんにちは@RLGeorge 

>>DSMONVTH CAN システム設計に基づいて、過電流保護と短絡保護の両方に使用できます。
>> DSMONVTH は VDS 値と同時に設定する必要があり、同時に Id の最大値を越えないようにしてください。
>> アプリケーションの制限に基づいて、過電流保護も使用することを提案します。
>> DSMONVTH 値は CAN 前の応答で指定されているように計算されます。
>>提供された波形では、誘導性サージは130Aよりもはるかに高くなっています。 システム要件に従ってPCBをテストしてください。
>> ソフトスタート ハードウェアでソフトスタート方式を使用すると、突入電流を低減 CAN 。

よろしくお願いいたします
サヒル・クマール

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