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MOSFET (Si/SiC) 論壇討論

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MOSFET (Si/SiC)
您好,我們購買了REF-DAB11KIZSICSYS這套DAB設備,在操作過程中,我們首先將總線升壓至750V,然後連接WIFI,連接GUI,GUI介面設定為預設參數,即700V,10A,在空下載啟動後正常,然而HV(負載穩壓)穩壓值700V,然而在完全負載(50歐姆以及100歐姆都有測試)接入瞬間... Show More
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MOSFET (Si/SiC)
在一些IRFB4321PBF和IRFP4568PBF的時候注意到一個問題,一個導通損耗高另一個開關損耗高,在選型的時候怎麼樣進行這種取捨呢smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/%E6%80%8E%E4%B9%88%E6%9D... Show More
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MOSFET (Si/SiC)
我想獲得最適合“aimzh120r020m1t”閘極驅動器的資訊。 開關頻率約為 25kHz,問題是我正在嘗試找到一個具有“I_out=7A”左右且帶有去飽和引腳的閘極驅動器。 謝謝 Show More
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MOSFET (Si/SiC)
閘極驅動器1EDI3033AS似乎對閘極電阻(TOUT 電阻)有 1.7 歐姆的限制。我嘗試為我的 SIC MOSFET( AIMZH120R020M1T )使用 V_GS(on/off)=0 ... 20V,但它具有 TOUT 高/低輸出最大電流 -15 ... 15A,似乎它將提供約 25.5V... Show More
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MOSFET (Si/SiC)
下圖是自製模組的電路原理圖,高邊配置,外部晶振32MHZ 測試電磁閥0-500mA階躍輸出曲線,PWM頻率2000HZ,週期10ms,經由示波器採到的平均負載電流誤差不超過5mA,但是透過手冊給的公式平均負載電流=1.5*回授電流/回授週期 計算得到誤差在14mA左右。附上暫存器設定;想問下方造成... Show More
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MOSFET (Si/SiC)
你好   英飛凌是否在 Mosfet 封裝中擁有 Cu Clip 技術。 -如果是,請分享帶有銅夾概念的特定係列。   問候 幸運庫馬爾 Show More
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MOSFET (Si/SiC)
親愛的英飛凌團隊, IMZA120R014M1H 的 SPICE 模型和同一 .lib 檔案中的其他模型與 SPICE 不相容。在 LTSPICE 中,程式報告:「錯誤:節點 U1:$M009F:$M01LF:N03D6 浮動並連接到電流源 G:U1:$M009F:$M01LF:01NW」。 VCC... Show More
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MOSFET (Si/SiC)
你好。 我正在嘗試在 TINA TI(不是 TINA CLOUD)上模擬降壓設計。 在哪裡可以找到 IPB107N20N3 的 SPICE 模型? Show More
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MOSFET (Si/SiC)
嗨,IFXER, 我有以下申請,請推薦給我,謝謝。 1. 關於資料表,它顯示在 Tc 100C 和 Tvj 175C 時連續漏極電流為 49A。 我們能否優化散熱器的冷卻,進而提高SiC MOSFET的電流能力? 2.根據第1點,我可以知道我們可以透過附件顯示來計算目前的能力嗎? Show More
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MOSFET (Si/SiC)
以下是我的B2B2 NMOS高階驅動電路圖。 在進行電路測試時,我將AUIR3242STRXUMA1的VCC設定為12V,並在MOS上連接了10歐姆的電阻。 當將AUIR3242STRXUMA1的IN設定為3.3V時,其VOUT達到24V。 但當 IN 設定為 0V 時,VOUT 將變為 14V,G... Show More
討論板資訊

MOSFET (Si/SiC)

Power MOSFETs已成為大多數工業和汽車應用的組成部分。英飛凌提供業界領先的解決方案,滿足各式各樣的需求。英飛凌創新的OptiMOS™、CoolMOS™和StrongIRFET™低壓和中壓Power MOSFETs在電源系統設計的關鍵規格方面始終滿足最高的質量和性能要求,例如導通電阻和品質因數。此外,CoolMOS™超級結MOSFET為消費、工業和汽車應用提供了豐富的選擇,如照明、電視、音頻、服務器/通信、太陽能、電動汽車充電、DC-DC轉換器、車載充電器等。在本論壇中,你可以發布你對英飛凌工業級和汽車級Si/SiC MOSFET的問題、評論和反饋。