MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

This is a SiC MOSFET AIMW120R045M1 switching characteristics test circuit:

And AIMW120R045M1 switching characteristics SPEC:

My question is how to setup Id=20A at Inductive load test circuit?

ICE3PCS01GのOVP時の挙動について教えていただけないでしょうか。

OVP1/2は、指定したOVP電圧に達すると即時PWM OFFする機能と理解しています。

この場合、負荷変動等により瞬間的にバス電圧が上昇した際、OVPによるPWM停止→バス電圧低下による復帰が繰り返されるかと思います。

その際に可聴ノイズを発生を懸念しています。

データシート上では設定できる周波数はminで22kHzとなっております。

しかしながらPWM sectionではDminが0%となっております。

上記のような可聴ノイズの発生する周波数となる可能性はございますでしょうか。

また、もしこれに対して何か対策があるのであればご教示いただけないでしょうか。

他社品ではこの現象の対策として、バス電圧の変化が大きいときはゲインを変化させ即時に出力電圧を安定させる機能が他社にはあるようです。

富士電機：ダイナミックOVP

TI：Enhanced Dynamic Response (EDR)

以上です、よろしくお願いいたします。

Hi sir, 
In general, I think that the lower the Rdson of the MOSFET, the greater the current that can flow.
However, when comparing CoolSiC's 650V, TO-247-3 package products, IMW65R027M1H (27mΩ, 47A) has a lower Rdson than MW65R030M1H (30mΩ, 58A), but the ID that can flow is also lower.
Why is this?

Best regards,

Yuki Fujioka

Sorry if I didn't ask in the correct section.

I am designing an H bridge circuit to control a peltier cell, I use an IRFR3410TRPBF and a WCDSC006XUMA1 half bridge driver, I am putting an LC filter at the output of the H bridge and avoid noise in the peltier cell and I am calculating the value of the capacitor from
bootstrap, the problem I have is that the peltier cell consumes a current of about 8.12 A with a voltage of 24V, I put two 220uF capacitors in parallel in the LC filter, but I don't know if they will be damaged when it is in operation, I wanted put electrolytic SMD capacitors on it, but I'm afraid they'll explode, can the smd capacitors withstand the current of 8A? Or should I use other types of capacitors? and the other problem is that I want to put an SMD capacitor as a bootstrap and I'm not sure if it will withstand the current to turn on the MOSFET.
I would also like to know if there are Inifineon component libraries for use in Eagle and where I can download them.
thanks for your help

Excuse me, I forgot to tell you that I will control the peltier cell with PWM and that's why I use the LC filter

ICE5AR4770BZSのPtot vs Taグラフについて教えていただけないでしょうか。

ICE5AR4770BZSのデータシート↓

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-ICE5ARxxxxBZS-DataSheet-v02_30-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607d612b2645ad

データシートのP.26 Figure 20にてPtot vs Taグラフがあります。

このグラフについて以下の2点教えていただけないでしょうか。

①Ptot=f(Ta)とは周囲温度(Ta)でのPtotという理解であっておりますでしょうか。

　f(Ta)という表現のため念のため確認したく。

②このPtotの算出方法についてご教示いただけないでしょうか。

　通常Ptot= ΔTj / Rthja　となると思います。

　このICの場合Tj定格は150℃ですがOTPのmin値が129℃のため129℃基準でΔTjを算出し、RthjaからPtotを算出になるかと思います。

例)　Tj=25℃の場合

　ΔTj=129 - 25 = 104℃

　データシートよりRthja=106℃

　Ptot = 104 / 106 = 0.98 [W]

しかしながらPtot vs Taグラフでは約0.95℃となっております。

同様に全温度でわずかに上記計算値より低いPtot値となっておりました。

計算方法が異なりますでしょうか。

もしくはデバイス自体の発熱も含んでいるためPtotが上記計算より低い値となっておりますでしょうか。

以上です、よろしくお願いいたします。