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MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

SoU_4942226
Level 4
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Level 4

いつもお世話になっております。

MOSFETのリード製品の温度測定ポイントをご教示いただけないでしょうか。

下記のANのP.4に記載の内容から裏面の中央が測定位置になると考えていますが認識間違いないでしょうか。

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Recommendations_for_Board_Assembly_TO-AP-v02_00-EN.pdf?fileId...

 

また、ヒートシンクを実装した際はヒートシンクの温度を測定しANの熱回路を想定しTjを算出するという方法で間違いないでしょうか。

 

以上です、恐れ入りますがご確認お願いいたします。

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1 Solution
Pablo_EG
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SoU 様

インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難うございます。

リード製品(TO-220、T0-247等)のTc測定の際は、ご認識の通り、裏面の中央が測定位置になっております。
こちらのスレッドを参考にして頂ければ幸いです:
https://community.infineon.com/t5/IGBT/Tc-measurement-position-of-IHW30N65R6/td-p/314795

ヒートシンクを実装した際はT_heatsinkを利用しTjを計算することが可能ですが、下記の方法もご検討下さい:

 ヒートシンクに穴を開け、パッケージの中央に高熱伝達接着剤でthermocoupleを接着致し、Tcを直接測定。Tcと熱回路でTjを計算。

上記の方法により、より正確な値が得られると考えられます。

最後に、デバイスのデータシートで提供されている熱抵抗値は最大値であることをご了承下さい。
そのため、Tjの計算に多少誤差が生じると考えられます。

宜しくお願い致します。
パブロ

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Pablo_EG
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SoU 様

インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難うございます。

リード製品(TO-220、T0-247等)のTc測定の際は、ご認識の通り、裏面の中央が測定位置になっております。
こちらのスレッドを参考にして頂ければ幸いです:
https://community.infineon.com/t5/IGBT/Tc-measurement-position-of-IHW30N65R6/td-p/314795

ヒートシンクを実装した際はT_heatsinkを利用しTjを計算することが可能ですが、下記の方法もご検討下さい:

 ヒートシンクに穴を開け、パッケージの中央に高熱伝達接着剤でthermocoupleを接着致し、Tcを直接測定。Tcと熱回路でTjを計算。

上記の方法により、より正確な値が得られると考えられます。

最後に、デバイスのデータシートで提供されている熱抵抗値は最大値であることをご了承下さい。
そのため、Tjの計算に多少誤差が生じると考えられます。

宜しくお願い致します。
パブロ

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