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我正在尋找具有 1200V 阻擋電壓和低開啟電阻(RDSon)的英菲尼昂 SiC MOSFET。 當將最好的"離"散 MOSFET(對於我的例子而言,RDSon 最低的那些)與混合包中的分離 MOSFET 進行比較時,我注意到混合包中的 MOSFET 似乎與離散裝置相比,實現了顯著更低的 RDSon。 我有幾個關於這個問題:

  1. 我是否正確理解這一點? 混合組 MOSFET 在同一電壓類別內的開啟電阻方面表現優於離散 MOSFET 嗎?

  2. 如果我正確理解這一點,你能否解釋為什麼有如此重大的差異? 我很感謝一個簡單的解釋來幫助我理解底層的原因。

例如,在撰寫本文時,我發現具有最低 RDSon 的分立 SiC MOSFET 是IMZA120R007M1H( IMZA120R007M1H - Infineon Technologies ),其 RDSon = 7 mΩ。與此相比,FS03MR12A6MA1LB 混合組驅動模組中的混合組 MOSFET 的 RDSon = 2.75 mΩ低得多( FS03MR12A6MA1LB | 此HybridPACK™ 驅動器是一款非常...)。

感謝您考慮我的問題。 答案對您來說可能非常明顯(例如,也許原因是他們有不同的軟件包),但我很好奇。

1 解決方案
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親愛的 @ads92

美好的一天!

感謝您在英飛凌開發人員社區上發布。

如您所知,這些模塊的設計用於承載更高的電流,為了承載這樣更高的電流,模塊內部的芯片將並行。 在大多數分散式中,只有單一芯片可用。

隨著晶片數量並行,所產生的 Rdson 將在模塊中降低。

 

感謝&最好的問候,

阿希爾·庫馬爾。

 

 

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1 回應
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親愛的 @ads92

美好的一天!

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如您所知,這些模塊的設計用於承載更高的電流,為了承載這樣更高的電流,模塊內部的芯片將並行。 在大多數分散式中,只有單一芯片可用。

隨著晶片數量並行,所產生的 Rdson 將在模塊中降低。

 

感謝&最好的問候,

阿希爾·庫馬爾。

 

 

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