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cross mob
Bellawu
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我们曾经发布的一条内容中,有客户咨询如下问题,请帮忙解答:

应用指南 | 如何选择SiC MOSFET驱动负压

https://zhuanlan.zhihu.com/p/70491608

1.对于一个相对比较低的工作频率(大约小于50kHz),Rds(on)减小效应占主导地位。 这句话怎么理解,是意味着较低工作频率下建议使用18V驱动吗?

2.需要注意的是,门极电压18V时的短路电流要远远高于15V。因此器件在Vgs(on)=18V时不能达到预定的短路能力。这句如何理解?

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Xiangrui
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1. 首先如文中所说较低的工作频率会引起:

(1)减小Rds(on)

(2)加速Vth漂移效应,意味着Rds(on)的增长会更快

就是说它同时减小和增加Rds(on), 但是在低工作频率区间,Rds(on)总体表现为减小

2. 在大Vgs(on)的情况下,器件开通的更为完全,短路电流更大,因此短路承受时间会比15V驱动时更低

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Xiangrui
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1. 首先如文中所说较低的工作频率会引起:

(1)减小Rds(on)

(2)加速Vth漂移效应,意味着Rds(on)的增长会更快

就是说它同时减小和增加Rds(on), 但是在低工作频率区间,Rds(on)总体表现为减小

2. 在大Vgs(on)的情况下,器件开通的更为完全,短路电流更大,因此短路承受时间会比15V驱动时更低

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