Tip / Sign in to post questions, reply, level up, and achieve exciting badges. Know more

MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

ambition
Level 1
10 sign-ins 5 replies posted 5 questions asked
Level 1

我在英飞凌的产品datasheet上看到,SiC MOSFET的开通损耗远大于关断损耗,请问这是普遍现象吗,有理论参考吗?

0 Likes
1 Solution
Jingwei
Moderator
Moderator First question asked 100 replies posted 10 likes received
Moderator

有一部分原因是这样的,因为米勒平台的存在导致Coss变化非线性。同时开关损耗还受其他寄生参数的影响。目前来看大部分Mosfet,Gan在同样Rg的情况下,导通损耗大于关断损耗。

View solution in original post

0 Likes
4 Replies
Jingwei
Moderator
Moderator First question asked 100 replies posted 10 likes received
Moderator

Hi,

不仅是SiC,包括GaN, Si Mosfet,都有此性能。开通时,如果选用过大的Rgon,那么开通时间变长,会导致开通损耗比较高,但是Rgon不能选得很小。因为太小的Rgon会导致过高的dudt,在米勒平台的影响下会带来很大的栅极震荡。冲击电压有可能击穿Mos。但是在关断时,考虑的是快速关断,选用的Rgoff很小,来提供强力关断和避免误导通。Rgoff小,关断损耗自然会小。

希望答案对你有用。

BR

Steven

0 Likes
ambition
Level 1
10 sign-ins 5 replies posted 5 questions asked
Level 1

你好,感谢回复,您说的是开通和关断电阻不同的时候,但是根据datasheet(如图),同样的栅极电阻,开通损耗还是大于关断损耗的。

ambition_0-1664417453666.png

 

0 Likes
ambition
Level 1
10 sign-ins 5 replies posted 5 questions asked
Level 1

看到有文章解释如下:

因为Coss的存在,在关断的过程中,由于电容电压不能突变,因此VDS的电压一直维持在较低的电压,可以认为是ZVS,即0电压关断,功率损耗很小。

同样的,在开通的过程中,由于Coss的存在,电容电压不能突变,因此VDS的电压一直维持在较高的电压,实际的功率损耗很大。

 

请问这样解释合理吗

0 Likes
Jingwei
Moderator
Moderator First question asked 100 replies posted 10 likes received
Moderator

有一部分原因是这样的,因为米勒平台的存在导致Coss变化非线性。同时开关损耗还受其他寄生参数的影响。目前来看大部分Mosfet,Gan在同样Rg的情况下,导通损耗大于关断损耗。

0 Likes