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cross mob
nnrogers
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自己搭建的仿真平台采用的是英飞凌的模组,

在SPWM模式下,仿真结果和IPOSIM的仿真结果基本可以一致。开关损耗都是174W,导通损耗是基本一致。

但是在SVPWM模式,仿真结果和IPOSIM的仿真结果的开关损耗对比差异较大,我的开关损耗是174W,

而IPOSIM结果是100W左右,导通损耗是基本一致。开关损耗差异的问题出在哪儿呢?求指教!!!

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Klaus_Ma
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1、在SVPWM 调制方案中,零矢量的选择是最具灵活性的,适当选择零矢量,可最大限度地减少开关次数,尽可能避免在负载电流较大的时刻的开关动作,最大限度地减少开关 损耗。

2、开关损耗差异的问题出在哪儿呢?

不同的SVPWM调制策略(5段/7段/谐波注入等调制策略)下开关次数存在差异,因此开关损耗会有差异。关于开关损耗差异,SVPWM的调制以及开关策略的组合,可以参考下面链接的解释:https://www.ad.siemens.com.cn/club/bbs/upload/635297877834649352.pdf

3、如果可以的话,欢迎您把自己搭建的模拟仿真模型截图附上,后续可继续讨论。

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Klaus_Ma
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1、在SVPWM 调制方案中,零矢量的选择是最具灵活性的,适当选择零矢量,可最大限度地减少开关次数,尽可能避免在负载电流较大的时刻的开关动作,最大限度地减少开关 损耗。

2、开关损耗差异的问题出在哪儿呢?

不同的SVPWM调制策略(5段/7段/谐波注入等调制策略)下开关次数存在差异,因此开关损耗会有差异。关于开关损耗差异,SVPWM的调制以及开关策略的组合,可以参考下面链接的解释:https://www.ad.siemens.com.cn/club/bbs/upload/635297877834649352.pdf

3、如果可以的话,欢迎您把自己搭建的模拟仿真模型截图附上,后续可继续讨论。

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nnrogers
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您好,谢谢您的解答,我用的是PLECS自带二电平的SVPWM调制,是7段式的调制,算是载波方式的吧,不算空间调制,效果是一样的。我认为的SVPWM和SPWM的开关损耗应该是一样的,DPWM才会降低开关损耗。您说的是不同SVPWM之间差异应该很小吧,我的问题是SVPWM和SPWM之间的差异。谢谢。所以对IPOSIM仿真结果才会产生疑问的。

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Klaus_Ma
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能分享下您使用的IPOSIM的仿真链接么?"IPOSIM的仿真结果的开关损耗对比差异较大"

 

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