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微信截图_20240125151352.jpg

如上图,是做电压打击穿着MOS管后观察芯片损坏伤害形态的实战体验。根据实验者员工的描述,GS短路接接,DSSLADIRECTFLOW 电源加电压,先是快速加到 40V,然后频率为 0.1V 往上加到 59V,直至器件攻击。0.5A电流是以后通过的,是防压穿着器件的。

*器件温度为 25℃,250微安下BVDSS 最低 40V

问他做了实验的,他也讲不清楚。现在有类似的问题,

1、这个耐压穿着实验做了对吗?

2、为什么要打击然后给0.5A电流?

3、但现在给了 0.5A 的电流,那不可能给 10A,20A?(不过这个直流电源最大为 5.5A)

3、怎么知道我的 59.6VTIMEZERSIRECES 套件打击穿了?没有 50V 的攻击穿了,而他还在加电压?

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/td-p/683350

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@pianke006,你好!

不清楚你上面讲述的实验是为了做什么。是谁在做这样的实验?

以我们的一个40V耐压的Mosfet IRFS7437为例,datasheet中Vdss的参数测试如下图所示, 您可以看到测试条件Id=250uA。

Daisy_T_0-1706169135224.png

测试方法:G、S 短路接接;增强 vds电压,使得得ID的电流增至 250uA,这个时候的 vds电压定义成vdsssss电压。

你实验中是 0.5A,我们早就认出来了 SNCRECTRACTING 穿了。

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/m-p/683381

在原帖中查看解决方案

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@pianke006,你好!

不清楚你上面讲述的实验是为了做什么。是谁在做这样的实验?

以我们的一个40V耐压的Mosfet IRFS7437为例,datasheet中Vdss的参数测试如下图所示, 您可以看到测试条件Id=250uA。

Daisy_T_0-1706169135224.png

测试方法:G、S 短路接接;增强 vds电压,使得得ID的电流增至 250uA,这个时候的 vds电压定义成vdsssss电压。

你实验中是 0.5A,我们早就认出来了 SNCRECTRACTING 穿了。

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/m-p/683381

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非常感谢,请教原因,因为我们提交的实验方案跟他一起进行的不是这样。现在他看了这个实验的方法法。G、S 短路接接;增强 vds电压,测试的电流,他是 0.5A 的电流限值,也是保护设备。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/m-p/685415

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