MOSFET 開關損耗

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您好, 您能告訴高壓MOSFET和低壓MOSFET的開通和關斷損耗比較嗎? 謝謝

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOSFET-switching-Loss/td-p/688784

1 解決方案
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嗨高拉夫,

感謝您的要求。

MOSFET 的開通和關斷損耗是動態的,取決於多個因素,例如工作電壓 (Vds)、電流 (Id)、開通和關斷時間。 開啟和關閉時間取決於閘極電阻 (Rg)。

vigneshkumar_1-1707115076940.png

為了控制開啟和關閉時間,選擇合適的閘極EVAL_BDPS_DRIVER和閘極電阻器非常重要。 無論選擇哪一種 MOSFET,開關損耗都將由上述參數決定。

問候

維涅斯

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOSFET-switching-Loss/m-p/689413

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1 回應
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嗨高拉夫,

感謝您的要求。

MOSFET 的開通和關斷損耗是動態的,取決於多個因素,例如工作電壓 (Vds)、電流 (Id)、開通和關斷時間。 開啟和關閉時間取決於閘極電阻 (Rg)。

vigneshkumar_1-1707115076940.png

為了控制開啟和關閉時間,選擇合適的閘極EVAL_BDPS_DRIVER和閘極電阻器非常重要。 無論選擇哪一種 MOSFET,開關損耗都將由上述參數決定。

問候

維涅斯

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