MOSFET的雪崩失效与D-S极过压失效情况是等同的吗?

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cross mob
LWZY
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Daisy_T
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@LWZY , 您好!

在DS之间的高压,使得Mosfet进入雪崩,那么电流Iav就跟mosfet所在的环路相关了。Ias的大小与测试条件相关。具体您可以参考我们的应用指南

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Daisy_T
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@LWZY , 您好!

MOSFET 在关断状态能承受一定的过压,进入雪崩状态。如果时间过长,能量超过了Mosfet的雪崩能量,Mosfet就会失效。因此这种过压失效是Mosfet先进入雪崩,然后再失效。

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LWZY
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您好!还有一点疑问!据了解雪崩能量的大小可以根据这两个公式进行量化评估,Eas = 0.5 * Lloop * Ias^2 = 0.5 * Vds_peak * Ias * tav;那么MOSFET处在一个完全关断的情况下,几乎没有电流流过,那么Ias这个参数项怎么去评估取值呢?

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Daisy_T
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@LWZY , 您好!

在DS之间的高压,使得Mosfet进入雪崩,那么电流Iav就跟mosfet所在的环路相关了。Ias的大小与测试条件相关。具体您可以参考我们的应用指南

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