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Conner
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Hello Sir,

一般datasheet中的SOA中Vds默认恒定,Id是矩形脉冲波形。

如图,这是我使用mos时测试的Vds,Id和Vgs波形,Vds是从16V线性下降到10mV,Id从0A线性上升到200A(近似看作是线性上升),时间大概是1ms,请问我如何判断这个工况下mos是否处于安全工作区域?我如何从波形图中获取SOA曲线中的Vds和Id?

如果以峰值Vds=16V,Id=200A来判断是否在SOA内,那么这个工况远超SOA限制,感觉这种评估方法太过苛刻,几乎没有能满足该工况的mos

是否可以用这1ms内的Vds,Id的平均值或者有效值来评估SOA。

Conner_0-1698132597086.png

Conner_1-1698132642562.jpeg

 

 

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Daisy_T
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@Conner ,您好!

从您提供的波形看,应该是没有超过SOA的。

比如Vds=16V时, Id是0A。在比如说交叉点,因为波形上看不出数值,大致上 8V Vds时,Id=100A,但是这个点持续的时间很短,不需要去跟1ms的SOA对比(波形上整个turn on的时间是1ms)。

当然有一点也需要注意,我们给的SOA是25*C结温的测试条件,实际使用时需要客户根据实际的Tj来做一个判断。

另外,这里有一篇应用指南详细介绍了 Mosfet SOA区域,希望有所帮助。

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Daisy_T
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@Conner ,您好!

从您提供的波形看,应该是没有超过SOA的。

比如Vds=16V时, Id是0A。在比如说交叉点,因为波形上看不出数值,大致上 8V Vds时,Id=100A,但是这个点持续的时间很短,不需要去跟1ms的SOA对比(波形上整个turn on的时间是1ms)。

当然有一点也需要注意,我们给的SOA是25*C结温的测试条件,实际使用时需要客户根据实际的Tj来做一个判断。

另外,这里有一篇应用指南详细介绍了 Mosfet SOA区域,希望有所帮助。

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Conner
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First reply posted First question asked Welcome!

@Daisy_T ,您好!

通过您的解答,我了解到您判断mos在上面那个工况下没有超过SOA的方法好像是在mos开通过程中选取了几个点,判断这些点的Vds和Id没有超过SOA,然后就判断整个启机过程mos没有超过SOA。

但是我的理解是mos的整个开通过程中Vds和Id是连续变化的,mos晶圆的热量也是不断累计的,我们不应该取独立的工作点来判断是否超过SOA,而是应该整体考虑启机过程。所以我想了解一下有没有一种折算方法可以将这种变化的Vds,Id折算成矩形脉冲形式。比如计算瞬态结温时,我们总是将非矩形脉冲的功率波形的脉冲等效成等脉冲宽度,等面积的矩形脉冲,然后来计算瞬态结温。那我们评估SOA时是否也有类似的折算方法或者等效方法。

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Daisy_T
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@Conner , 您好!

您这样理解很符合实际应用,但是目前没有比较好的折算办法,因此更多的是根据工程师的经验做一些近似的估算。

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Katherine99
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Hi Conner,

感谢你在英飞凌技术社区的积极提问!对此,我们有一些小小的建议:

由于本界面是英文界面,你在本界面的提问都会统一被送到国外的工程师那边进行回答,但是由于提问内容是中文,所以这些问题又会再次转手给国内的工程师进行回答,这样反而会耽误你获得答案的时间。因此,我们建议你在中文界面中进行提问,这样方便我们的工程师分配对应的FAE 进行回答。

要切换到中文界面,你可以直接点击右上角的语言选择,勾选“CN-简体中文”即可。 

谢谢!

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