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こんにちは 高電圧と低電圧MOSFETのターンオンとターンオフの損失比較を教えてください。感謝

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOSFET-switching-Loss/td-p/688784

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こんにちはGaurav、

ご依頼ありがとうございます。

MOSFETのターンオンとターンオフの損失は動的であり、動作電圧(Vds)、電流(Id)、ターンオンおよびターンオフ時間などのいくつかの要因に依存します。 ターンオンとターンオフの時間は、ゲート抵抗(Rg)に依存します。

vigneshkumar_1-1707115076940.png

ターンオン時間とターンオフ時間を制御するには、適切なゲートEVAL_BDPS_DRIVERとゲート抵抗の選択を選択することが重要です。 どのMOSFETを選択しても、スイッチング損失は前述のパラメータによって決まります。

よろしく

ヴィニェシュ

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOSFET-switching-Loss/m-p/689413

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こんにちはGaurav、

ご依頼ありがとうございます。

MOSFETのターンオンとターンオフの損失は動的であり、動作電圧(Vds)、電流(Id)、ターンオンおよびターンオフ時間などのいくつかの要因に依存します。 ターンオンとターンオフの時間は、ゲート抵抗(Rg)に依存します。

vigneshkumar_1-1707115076940.png

ターンオン時間とターンオフ時間を制御するには、適切なゲートEVAL_BDPS_DRIVERとゲート抵抗の選択を選択することが重要です。 どのMOSFETを選択しても、スイッチング損失は前述のパラメータによって決まります。

よろしく

ヴィニェシュ

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