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MOSFETのV(BR)DSSについて確認させてください。
例)
BSC016N06NS
MOSFETの耐圧はTj=25℃の条件で記載されているかと思います。
しかしながら耐圧としてMaximum ratingsには記載がございません。
加えてMOSFETはTjによる温度特性を持ち、データシートに特性グラフの記載がございます。
上記の通りですがV(BR)DSSの保証値としてはTj=25℃での60Vとなるのでしょうか?
例えば周囲温度とMOSFET自体の発熱含めてTj=100℃の場合でも60℃を超えると定格外となりますでしょうか?
耐圧として定格の定義はなくアバランシェ降伏に至る可能性のあるVBR(DSS)のminを特性として定義しているということでしょうか?
定格がTj=25℃での電圧だとすると高温時はV(BR)DSSが上昇するためマージンが大きくなる方向であるため問題ないと思いますが低温動作時を想定すると厳しい条件となることが気になる質問しました。
恐れ入りますがご確認のほどよろしくお願いいたします。
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- mosfet
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グラフに記載されている破壊電圧は、製品保証の最小値です。 製品を設計するときは、十分な余裕を持たせなければならないが、偶然の破壊は許される。 EASは過剰に定量せず、デバイスは安全である。 ありがとうございます! よろしくお願いします。
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@SoU_4942226 様、
インフィニオンコミュニティをご利用いただき、有難うございます。
V(BR)DSSの保証値としては、ご認識いただいております通り、60V(Tj=25C)となります。V(BR)DSSの温度特性につきましては物理特性になりますので、弊社にかかわらずどのメーカー様のMOSFETにも同様に存在しております(一度、ほかのメーカー様のDatasheet等もご確認されてみてください)。
絶対最大定格として25Cでの記載をDatasheetにするかどうかの違いとなりますので、絶対最大定格での記載の有無にあまり気にされる必要はございません。V(BR)DSSには温度特性があることを理解した上でご使用いただくことが重要でございます。
何卒、よろしくお願いいたします。
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ご回答ありがとうございます。
他社品も含めて特性を持っているものの定格としての定義について明確にしたく確認させていただきました。
内容理解することができました。
ご回答いただきありがとうございます。
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グラフに記載されている破壊電圧は、製品保証の最小値です。 製品を設計するときは、十分な余裕を持たせなければならないが、偶然の破壊は許される。 EASは過剰に定量せず、デバイスは安全である。 ありがとうございます! よろしくお願いします。
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V(BR)DSSの特性グラフは製品保証の最小値とのことで理解いたしました。
低温時などにおいてV(BR)DSSが低下する点についてはマージンの考え方も含めて注意して対応させていただきます。
ご回答ありがとうございます。