MOSFETとIGBTの特性が異なるのはなぜですか?

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1. 類似点と相違点の具体的な分類に対する詳細な回答 2. 相違点の理由は何ですか?各項目をできるだけ詳しく説明してください。 3. この違いによる影響は何ですか?アプリケーションシナリオの違いは何ですか? 4. インフィニオンの売れ筋関連製品の推奨事項: mosfet..igbt などを推奨してください。 5. 写真を提供してもらえますか? 5. Zhihu のオリジナル投稿: https://www.zhihu.com/question/621037209

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/%E4%B8%BA%E4%BB%80%E4%B9%88MOSFET%E5%92%8CIGBT%E7%89%B9%E6%80%A7%E4%B8%8D%E5%90%8C/td-p/680653

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@EM4user さん、こんにちは!

半導体物理学の観点からは、一方はマルチキャリアデバイス、もう一方はマイノリティキャリアデバイスと呼ばれ、導電キャリアが異なるため、本質的に導電原理が異なり、IGBTなどのスイッチング特性に比較的大きな違いが生じます。 . ターンオフテーリング問題、MOSFETのボディダイオードなど。インフィニオンのMOSFETは、20V~900VのSi MOSFETから1700VまでのSiC MOSFETまで、非常に幅広い耐圧範囲を持っており、基本的には単管ですが、IGBTは単管とモジュールの直列品に分かれており、抵抗値は1.5Vです。単管の電圧範囲は 600V ~ 1200V で、モジュールの耐電圧は最大 6500V に達します。

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/%E4%B8%BA%E4%BB%80%E4%B9%88MOSFET%E5%92%8CIGBT%E7%89%B9%E6%80%A7%E4%B8%8D%E5%90%8C/m-p/681121

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@EM4user さん、こんにちは!

半導体物理学の観点からは、一方はマルチキャリアデバイス、もう一方はマイノリティキャリアデバイスと呼ばれ、導電キャリアが異なるため、本質的に導電原理が異なり、IGBTなどのスイッチング特性に比較的大きな違いが生じます。 . ターンオフテーリング問題、MOSFETのボディダイオードなど。インフィニオンのMOSFETは、20V~900VのSi MOSFETから1700VまでのSiC MOSFETまで、非常に幅広い耐圧範囲を持っており、基本的には単管ですが、IGBTは単管とモジュールの直列品に分かれており、抵抗値は1.5Vです。単管の電圧範囲は 600V ~ 1200V で、モジュールの耐電圧は最大 6500V に達します。

 

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