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微信截图_20240125151352.jpg

如上图,是做电压击穿MOS管后观察芯片损伤形貌的实验。根据实验人员描述,GS短接,DS用直流电源加电压,先快速加到40V,然后0.1V频率往上加到59V,直至器件击穿。0.5A电流是电压击穿器件后通过的。

*器件25°C,250微安下BVDSS min 40V

问了做实验的,他也讲不清楚。现在有如下问题,

1、这个耐压击穿实验做的对吗?

2、为啥击穿后给0.5A电流?

3、既然给0.5A电流,那能不能给10A,20A?(不过这个直流电源最大5.5A)

3、如何知道59.6V时器件击穿了?有没有可能50V就击穿了,而他还在加电压?

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/td-p/683350

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1 解決策
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@pianke006 , 您好!

不清楚您上面描述的实验是为了做什么。是谁在做这样的实验?

以我们的一个40V耐压的Mosfet IRFS7437为例,datasheet中Vdss的参数测试如下图所示, 您可以看到测试条件Id=250uA。

Daisy_T_0-1706169135224.png

测试方法:G,S 短接;增加Vds电压,使得Id的电流增加到250uA,这个时候的Vds电压定义成Vdss。

你实验中是0.5A,我们认为早就已经击穿了。

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/m-p/683381

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2 返答(返信)
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@pianke006 , 您好!

不清楚您上面描述的实验是为了做什么。是谁在做这样的实验?

以我们的一个40V耐压的Mosfet IRFS7437为例,datasheet中Vdss的参数测试如下图所示, 您可以看到测试条件Id=250uA。

Daisy_T_0-1706169135224.png

测试方法:G,S 短接;增加Vds电压,使得Id的电流增加到250uA,这个时候的Vds电压定义成Vdss。

你实验中是0.5A,我们认为早就已经击穿了。

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/m-p/683381

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多谢,请教的原因就是我们提的实验方案跟他进行的不一样。现在弄清楚了他这个实验的方法。G,S 短接;增加Vds电压,测试Id的电流,他是把电流限定在0.5A,为了保护设备。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOS%E5%87%BB%E7%A9%BF%E5%AE%9E%E9%AA%8C/m-p/685415

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