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其中的RDS(on),测试条件为VGS=10V,ID=46A下进行的;
问题:
1.我想知道VGS变化的话,RDS(on)如何变化?
2.VGS=10V,ID变化的话,RDS(on)如何变化?
上图中的寄生的二极管,导通电阻是多大了,常温下25℃下;可否给一下具体的数值或者范围,多少mΩ;谢谢!!!
Solved! Go to Solution.


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Hi,彦锋您好,
欢迎使用Infineon Community,
针对您前两个问题,如果定性分析的话,下面这张图会帮你很好理解这个事情。
请注意,这个图不是 IRFB3607PbF的特性图,只是为了展示mosfet特性。
您的第一个问题,Vgs变,Rdson怎么变,可以观察上图中ABCDE这五个点得出结论,Vgs增大,Rdson减小。
您的第二个问题,VGS=10V,ID变化的话,RDS(on)如何变化?观察任意一条曲线,ID增大,Rdson增大。
您的第三个问题,寄生二极管在这里相对应的参数是Vf,也就是导通压降,IRFB3607PbF的寄生二极管导通压降可以参考下图。
如果您还有问题,请继续使用Community提问。
Best regards,
Steven


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Hi,彦锋您好,
欢迎使用Infineon Community,
针对您前两个问题,如果定性分析的话,下面这张图会帮你很好理解这个事情。
请注意,这个图不是 IRFB3607PbF的特性图,只是为了展示mosfet特性。
您的第一个问题,Vgs变,Rdson怎么变,可以观察上图中ABCDE这五个点得出结论,Vgs增大,Rdson减小。
您的第二个问题,VGS=10V,ID变化的话,RDS(on)如何变化?观察任意一条曲线,ID增大,Rdson增大。
您的第三个问题,寄生二极管在这里相对应的参数是Vf,也就是导通压降,IRFB3607PbF的寄生二极管导通压降可以参考下图。
如果您还有问题,请继续使用Community提问。
Best regards,
Steven
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史蒂文,您好!
非常感谢您的回答,谢谢!
关于IRFB3607PBF功率晶体管,如果使用ansys maxwell软件中的Circuit Design模块,如何更准确的模拟仿真呢?可否给出一些建议,谢谢!


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彦锋您好,
官网中给出了这个器件的Saber和Spice模型,您可以利用这两个仿真软件来进行仿真。
Best Regards,
Steven