其中的RDS(on),测试条件为VGS=10V，ID=46A下进行的；
问题：
1.我想知道VGS变化的话，RDS(on)如何变化？
2.VGS=10V，ID变化的话，RDS(on)如何变化？
上图中的寄生的二极管，导通电阻是多大了，常温下25℃下；可否给一下具体的数值或者范围，多少mΩ；谢谢！！！
Hi，彦锋您好，
欢迎使用Infineon Community，
针对您前两个问题，如果定性分析的话，下面这张图会帮你很好理解这个事情。
请注意，这个图不是 IRFB3607PbF的特性图，只是为了展示mosfet特性。
您的第一个问题，Vgs变，Rdson怎么变，可以观察上图中ABCDE这五个点得出结论，Vgs增大，Rdson减小。
您的第二个问题，VGS=10V，ID变化的话，RDS(on)如何变化？观察任意一条曲线，ID增大，Rdson增大。
您的第三个问题，寄生二极管在这里相对应的参数是Vf，也就是导通压降，IRFB3607PbF的寄生二极管导通压降可以参考下图。
如果您还有问题，请继续使用Community提问。
Best regards,
Steven
Hi，彦锋您好，
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针对您前两个问题，如果定性分析的话，下面这张图会帮你很好理解这个事情。
请注意，这个图不是 IRFB3607PbF的特性图，只是为了展示mosfet特性。
您的第一个问题，Vgs变，Rdson怎么变，可以观察上图中ABCDE这五个点得出结论，Vgs增大，Rdson减小。
您的第二个问题，VGS=10V，ID变化的话，RDS(on)如何变化？观察任意一条曲线，ID增大，Rdson增大。
您的第三个问题，寄生二极管在这里相对应的参数是Vf，也就是导通压降，IRFB3607PbF的寄生二极管导通压降可以参考下图。
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