IPA057N08N3 G_実装時のリード深さについて

[SoU_4942226]

TO-220FPであるIPA057N08N3 Gにおいて実装時のリードの深さについてご相談させてください。

●ご質問

インフィニオン製のMOSFET ”IPA057N08N3 G”を基板へはんだ付け実装時、

リードの太い部分(添付画像の赤枠部)をはんだ付けしても信頼性に影響はありませんか。

また、リードの根元から○mm離れた位置までであればはんだ付け可能など条件があればご教示ください。

 

下記ANにおいてLead Bendingについての記載はございましたが深さについての記載が見つけられませんでした。

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-ApplicationNote_Package_Recommendations_Assembly_TOPackages-A...

製品としては問題ないがはんだのブリッジなどは懸念する必要があるなどでもコメントいただけますと幸いです。

以上です、恐れ入りますがご確認お願いいたします。

[Takashi_O · Accepted solution]

インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難う御座います。

ご期待に沿えず申し訳ありませんが、PCBからの実装距離に関する信頼性評価等は行っておりません。

お問い合わせいただいている条件にて実装を行われる際には、各自ご検証いただきその結果をもとにご判断いただく必要があるかと存じます。

一般的に、パッケージ実装の要求事項、並びにはんだ耐熱性については、下記の標準規格に記述されております。

弊社ではこれらの標準規格条件での実装を推奨しております。

- IPC/EIA/JEDEC-J-STD-001 (電子部品の実装に関する要求事項), 6.1 Through hole Terminations

- JESD22-A111(はんだ耐熱性)

これらの基準から相対的にコメントさせていただきますと、信頼性悪化に対するリスクは下記のように想定されます。

リスクの増加具合について、大きくはないと想定されますが、評価による裏付けはございません。。

- はんだブリッジ等のリスク　:　

              増加、スルーホール間のクリアランスが小さくなるため

⁻　実装時のヒートショックによるデバイスの信頼性への悪影響　：　

              増加、加熱箇所がよりデバイスに近くなること、また、はんだにパッケージが浸る可能性が増加するため

宜しくお願い致します。

[SoU_4942226]

ご回答ありがとうございます。

推奨の実装条件についておよびリスクに関してコメントありがとうございます。

内容理解いたしました。