[IMW120R007M1H] 在西美集團上進行模擬

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親愛的團隊

 

我們使用SiMetrix對“IMW120R007M1H”的靜態特性進行了模擬。

其中,如下檢查 Rds(上)的特性時,該值超過了"特徵值"的 " MAX "。

Tomato_0-1693891228806.png

Tomato_1-1693891267285.pngTomato_2-1693891305690.png

這個模型是經過良好驗證的模型嗎?

或者,在創建用於模擬的電路時,如果有任何要點我應該小心,請告訴我。

 

最好的問候,

番茄

1 解決方案
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親愛的 @Tomato
感謝您通知我們。

這是由於IMW120R007M1H的封裝寄生中的源電阻存在差異,導致資料表和模擬之間發生不匹配,我們將對此進行處理。

如果您仍有查詢,我們會要求您在「我的案例」中建立案例。
您可以參考以下 pdf 進入 Mycase 系統。
https://www.infineon.com/export/sites/default/en/about-infineon/company/contacts/support/images/Leaf...

最好的問候
托什·庫馬爾。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/IMW120R007M1H-Simulation-on-SiMetrix/m-p/643903

在原始文章中檢視解決方案

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3 回應
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親愛的 @Tomato

來自英飛凌的問候,

感謝您在英飛凌社區中發布您的查詢,

在連接電路中,熱網絡連接到 Tj,但理想情況下,熱網絡應與 Tcase 連接。

 

Santhoshkumar_0-1694027529018.png

請在電路中進行修改並進行模擬以觀察結果。

如果您有任何進一步的疑問,請告訴我。

最好的問候,
桑托什·庫馬爾

 




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親愛的桑托什·庫馬爾

 

我將熱網絡連接到 Tcase 並進行了模擬,但是像上次一樣,結果超過了 Rds(上)的「特徵值」的「最大」。

此外,數據表是指 Tvj 進行評估。

我不認為將熱網絡連接到 Tcase 是這次評估特徵的正確方法。

我再問一次,這個模型是否經過充分測試?

 

Tomato_0-1694412881704.pngTomato_1-1694412917620.png

 

最好的問候,

番茄

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親愛的 @Tomato
感謝您通知我們。

這是由於IMW120R007M1H的封裝寄生中的源電阻存在差異,導致資料表和模擬之間發生不匹配,我們將對此進行處理。

如果您仍有查詢,我們會要求您在「我的案例」中建立案例。
您可以參考以下 pdf 進入 Mycase 系統。
https://www.infineon.com/export/sites/default/en/about-infineon/company/contacts/support/images/Leaf...

最好的問候
托什·庫馬爾。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/IMW120R007M1H-Simulation-on-SiMetrix/m-p/643903

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