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MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

MaKo_4831421
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質問1.
IRS2153DSTRPBFのVS端子の最大定格
 Min -3.0V
 Max 600V

ICB2FL03GのHSGNDの最大定格
 Min  -650V
 Max 650V

どちらもハイサイド側のゲートドライブのGNDラインですが、なぜMinの値が大きく異なるのでしょうか?

質問2.
ICB2FL03Gはバラストランプ専用のICですが、どのような場合にマイナス電圧が大きく発生するのでしょうか?

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1 Solution
Pablo_EG
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Moderator

MaKo 様

インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難う御座います。

回答1:
ICB2FL03GはCoreless Transformer技術のゲートドライバーを用います。
IRS2153DSTRPBFは従来Junction Isolationに基づいたゲートドライバーになっております。

Coreless Transformerのおかげで、ICB2FL03GのHSGND最大定格(min)を-650Vまで保証されております。

回答2:
実際のバラストランプアプリケーションでHSGNDが-650Vまで下がることが難しいと考えられます。
しかし、ハードスウィッチングが起こった際に、規制インダクター、規制キャパシターの影響で0V以下のパルスが発生される可能性が御座います。
経験から言うと、-50V以下の変動は難しいと考えられます。

-50V以下の変動が起こっても、ICB2FL03Gの強い負耐圧のおかげで故障が発生されないことを保証されております。

宜しくお願い致します。
パブロ

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Pablo_EG
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MaKo 様

インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難う御座います。

回答1:
ICB2FL03GはCoreless Transformer技術のゲートドライバーを用います。
IRS2153DSTRPBFは従来Junction Isolationに基づいたゲートドライバーになっております。

Coreless Transformerのおかげで、ICB2FL03GのHSGND最大定格(min)を-650Vまで保証されております。

回答2:
実際のバラストランプアプリケーションでHSGNDが-650Vまで下がることが難しいと考えられます。
しかし、ハードスウィッチングが起こった際に、規制インダクター、規制キャパシターの影響で0V以下のパルスが発生される可能性が御座います。
経験から言うと、-50V以下の変動は難しいと考えられます。

-50V以下の変動が起こっても、ICB2FL03Gの強い負耐圧のおかげで故障が発生されないことを保証されております。

宜しくお願い致します。
パブロ

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MaKo_4831421
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ご回答頂きまして有難う御座います。

また何かありましたら相談させて下さい。

 

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