Hi @Jojo ,
应该是封装内部的散热片。
SSO8封装的更多详细信息，请参考以下文档：
SSO8 Package Thermal Data Sheet
New 60V Automotive Power MOSFET OptiMOS™5 in SSO8 and S3O8
IAUC120N04S6L009的3D模型请参考以下链接：
https://www.infineon.com/cms/en/product/packages/PG-TDSON/PG-TDSON-8-34/
Regards,
Neo
Hi @Jojo ,
应该是封装内部的散热片。
SSO8封装的更多详细信息，请参考以下文档：
SSO8 Package Thermal Data Sheet
New 60V Automotive Power MOSFET OptiMOS™5 in SSO8 and S3O8
IAUC120N04S6L009的3D模型请参考以下链接：
https://www.infineon.com/cms/en/product/packages/PG-TDSON/PG-TDSON-8-34/
Regards,
Neo
您好，非常感谢及时答复！
我另外有一个疑问是关于IAUC120N04S6L009和IAUCN04S7L009的热性能和电性能差别的，我看到IAUCN04S7L009规格书中的标注的可承载电流为175A，而IAUC120N04S6L009 的 可承载电流为120A，这个电流上限差异是否是因为散热性能的不同造成的呢？如果是，这两款mos的封装是同一类型（PG-TDSON-8 ），他们内部哪些部分造成了热性能的差异呢？
Hi @Jojo ,
不好意思我没有在Infineon官网找到IAUCN04S7L009这款产品，但我尝试从功率MOSFET最大连续漏极电流ID的定义来解释您的疑问。
MOSFET最大连续漏极电流取决于最大功耗：Ptot = square (ID)*RDS(on)_Tj(max)
一般情况下,当Tc=25℃时，由上述公式计算出的ID会大于规格书Maximum ratings表格中列出的数据（对IAUC120N04S6L009来说，ID=120A @Vgs=10V）。这是因为在实际产品中，焊线直径、芯片设计和组装（bond wire diameter, chip design and assembly）等多种额外边界条件限制了最大连续漏极电流。这些参数涉及制造商的机密信息，不会被公开披露。
对于不同的产品，即使外形封装相同，由于上述原因也会造成的ID的不同。
Regards,
Neo
