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cross mob
MS_19060803
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Distributor - TED (Japan)
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いつもお世話になっております。

MOSFETESDについて質問がございます。

下記4デバイスのESD(Machine ModelHuman Body ModelCharged Device Mode)

ご教示頂けませんでしょうか?

 

IRF7341TRPBF

IRF7343TRPBF

IRFR9024NTRLPBF

IRFR024NTRPBF

 

全デバイスのProduct Qualification Reportを確認致しましたが、ESDの記載はございませんでしたので、

ESDは実施していないと認識しております。

もし、実施しているのでばれば確認する方法もご教示頂けましたら幸いです。

以上、よろしくお願いいたします。

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1 Solution
Takashi_O
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@MS_19060803 様、

本件、確認にお時間いただきまして申し訳ございません。

本デバイスにつきましてもESD試験は実施しております。
詳細に関しましては、お手数ではございますが弊社営業担当にご確認いただけますでしょうか。

何卒、よろしくお願いいたします。

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喜马拉雅之雪
Employee

Hi: Good morning:

1)For MOSFET ESD, the gate breakdown voltage is 60V for all standard MOSFET.  If over, gate will be loss in no time.

2)For MOSFET gate, it is a capacity. The limit holding is Qgmax=60V*Ciss

So you can find, smart MOSFET is not strong in customer production line, if the static-free step is not best.

And MOSFET ESD function is different from IC.

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MS_19060803
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いつもお世話になっております。

再度、質問致します。

他のMOSFETを確認いたしますと、Product Qualification ReportにESDが記載されております。

MS_19060803_0-1670387752452.png

4デバイスのProduct Qualification ReportにはESDが記載されておりませんので、ESDは実施していないと認識しております。

認識が間違いであれば、ESD(Machine Model、Human Body Model、Charged Device Mode)をご教示頂けませんでしょうか?

以上、よろしくお願いいたします。

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Takashi_O
Moderator
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@MS_19060803 様、

インフィニオンコミュニティをご利用いただき、有難うございます。

現在、弊社品質部門に確認を行っております。
お急ぎのところ恐れ入りますが少々お時間いただけますでしょうか。

何卒、よろしくお願いいたします。

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喜马拉雅之雪
Employee

Hi TakashiO:

Thanks for your request.

Like my say: Qgmax=60V*Ciss

For test source, each pulse output charge is about the integration of source short-circuit current with time. So high Ciss MOSFET can meet ESD. But low Ciss product, can't hold.

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Takashi_O
Moderator
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@MS_19060803 様、

本件、確認にお時間いただきまして申し訳ございません。

本デバイスにつきましてもESD試験は実施しております。
詳細に関しましては、お手数ではございますが弊社営業担当にご確認いただけますでしょうか。

何卒、よろしくお願いいたします。

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MS_19060803
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いつもお世話になっております。

ご対応有難うございます。

承知致しました、御社営業担当様に確認いたします。

以上、よろしくお願いいたします。

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