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いつもお世話になっております。
IPL65R200CFD7のデータシートより、連続ドレイン電流は下記になります。
他社の類似製品FCMT199N60はデータシートより下記になります。
FCMT199N60
↓
https://www.onsemi.jp/pub/collateral/fcmt199n60jp-d.pdf
そこで、2点質問がございます。
・両MOSFETはON抵抗、パッケージと非常に類似していると考えておりますが、
ドレイン電流の差は何が要因と考えられますでしょうか?
・ドレイン電流に関係する要因の1つと考えられる、junction - caseの差に関してもご教示頂けませんでしょうか?
IPL65R200CFD7のjunction - case:1.54℃/W
FCMT199N60のjunction - case:0.6℃/W
以上、よろしくお願いいたします。
Solved! Go to Solution.
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MOSFET
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- drain current
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MS 様、
インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難う御座います。
IPL65R200CFD7はFast Body Diode製品です。
FCMT199N60と比べるとQrrが11倍小さいです。
そのため、Idに関するIPL65R200CFD7とFCMT199N60の比較は難しいと考えられます。
その代わりに、P7またはC7製品をご検討下さい。
例えばIPL60R185P7:
製品 | IPL60R185P7 | FCMT199N60 |
Rdson_MAX | 185mΩ | 199mΩ |
Id@25 | 19A | 20.2A |
ID@100 | 12A | 12.7A |
Rth_jcaseに関しては、onsemi社のデータシートに測定設定の詳細が記載されていないため、コメントすることが難しいと考えられます。
宜しくお願い致します。
パブロ
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MS 様、
インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難う御座います。
IPL65R200CFD7はFast Body Diode製品です。
FCMT199N60と比べるとQrrが11倍小さいです。
そのため、Idに関するIPL65R200CFD7とFCMT199N60の比較は難しいと考えられます。
その代わりに、P7またはC7製品をご検討下さい。
例えばIPL60R185P7:
製品 | IPL60R185P7 | FCMT199N60 |
Rdson_MAX | 185mΩ | 199mΩ |
Id@25 | 19A | 20.2A |
ID@100 | 12A | 12.7A |
Rth_jcaseに関しては、onsemi社のデータシートに測定設定の詳細が記載されていないため、コメントすることが難しいと考えられます。
宜しくお願い致します。
パブロ
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いつもお世話になっております。
Rth_jcaseの件、承知いたしました。
IPL65R200CFD7とIPL60R185P7のドレイン電流(Id)が異なるのは、
CoolMOS™ CFD7とCoolMOS™ P7のTechnologyの違いと考えて問題ございませんでしょうか?
以上、よろしくお願いいたします。