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MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

MS_19060803
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いつもお世話になっております。

IPL65R200CFD7のデータシートより、連続ドレイン電流は下記になります。

MS_19060803_0-1643673275909.png

他社の類似製品FCMT199N60はデータシートより下記になります。

MS_19060803_3-1643673480707.png

FCMT199N60

https://www.onsemi.jp/pub/collateral/fcmt199n60jp-d.pdf

そこで、2点質問がございます。

・両MOSFETはON抵抗、パッケージと非常に類似していると考えておりますが、

 ドレイン電流の差は何が要因と考えられますでしょうか?

・ドレイン電流に関係する要因の1つと考えられる、junction - caseの差に関してもご教示頂けませんでしょうか?

 IPL65R200CFD7のjunction - case:1.54℃/W

 FCMT199N60のjunction - case:0.6℃/W 

以上、よろしくお願いいたします。

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Pablo_EG
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MS 様、

インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難う御座います。

IPL65R200CFD7はFast Body Diode製品です。
FCMT199N60と比べるとQrrが11倍小さいです。
そのため、Idに関するIPL65R200CFD7とFCMT199N60の比較は難しいと考えられます。
その代わりに、P7またはC7製品をご検討下さい。

例えばIPL60R185P7:

製品 IPL60R185P7 FCMT199N60
Rdson_MAX 185mΩ 199mΩ
Id@25 19A 20.2A
ID@100 12A 12.7A

 

Rth_jcaseに関しては、onsemi社のデータシートに測定設定の詳細が記載されていないため、コメントすることが難しいと考えられます。

宜しくお願い致します。
パブロ

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Pablo_EG
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MS 様、

インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難う御座います。

IPL65R200CFD7はFast Body Diode製品です。
FCMT199N60と比べるとQrrが11倍小さいです。
そのため、Idに関するIPL65R200CFD7とFCMT199N60の比較は難しいと考えられます。
その代わりに、P7またはC7製品をご検討下さい。

例えばIPL60R185P7:

製品 IPL60R185P7 FCMT199N60
Rdson_MAX 185mΩ 199mΩ
Id@25 19A 20.2A
ID@100 12A 12.7A

 

Rth_jcaseに関しては、onsemi社のデータシートに測定設定の詳細が記載されていないため、コメントすることが難しいと考えられます。

宜しくお願い致します。
パブロ

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MS_19060803
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いつもお世話になっております。

Rth_jcaseの件、承知いたしました。

IPL65R200CFD7とIPL60R185P7のドレイン電流(Id)が異なるのは、

CoolMOS™ CFD7とCoolMOS™ P7のTechnologyの違いと考えて問題ございませんでしょうか?

以上、よろしくお願いいたします。

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