Jun 08, 2022
09:21 PM
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Jun 08, 2022
09:21 PM
いつもお世話になっております。
IPA80R1K4P7を検討しております。基板の制約上、シャーシ(アース)との距離が近くなりそうなため
IPA80R1K4P7のケース表面から内部素子導電部までの絶縁耐圧が分かりましたらご教示頂けませんでしょうか?
以上、よろしくお願いいたします。
Solved! Go to Solution.
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- Dielectric Strength
1 Solution
Jun 23, 2022
05:00 PM
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Jun 23, 2022
05:00 PM
MS 様
返事が遅くなり申し訳御座いません。
データシートのVisoパラメータがデバイスのケースから半導体までの絶縁耐圧を表します。
ケースのTop側にも当てはまるので、IPA80R1K4P7の場合は2500V (1分)で御座います。
宜しくお願い致します。
パブロ
3 Replies
Jun 10, 2022
01:18 AM
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Jun 10, 2022
01:18 AM
MS 様
インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難う御座います。
本件に関しては弊社のパッケージ担当と相談中になっております。
もう少々お待ち下さい。
宜しくお願い致します。
パブロ
Jun 13, 2022
07:36 PM
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Jun 13, 2022
07:36 PM
いつもお世話になっております。
ご連絡有難うございます。回答をお待ちしております。
以上、よろしくお願いいたします。
Jun 23, 2022
05:00 PM
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Jun 23, 2022
05:00 PM
MS 様
返事が遅くなり申し訳御座いません。
データシートのVisoパラメータがデバイスのケースから半導体までの絶縁耐圧を表します。
ケースのTop側にも当てはまるので、IPA80R1K4P7の場合は2500V (1分)で御座います。
宜しくお願い致します。
パブロ