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MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

MS_19060803
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いつもお世話になっております。

IPA80R1K4P7を検討しております。基板の制約上、シャーシ(アース)との距離が近くなりそうなため

IPA80R1K4P7のケース表面から内部素子導電部までの絶縁耐圧が分かりましたらご教示頂けませんでしょうか?

以上、よろしくお願いいたします。

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Pablo_EG
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MS 様

返事が遅くなり申し訳御座いません。

データシートのVisoパラメータがデバイスのケースから半導体までの絶縁耐圧を表します。

Pablo_EG_0-1656028782807.png

ケースのTop側にも当てはまるので、IPA80R1K4P7の場合は2500V (1分)で御座います。

宜しくお願い致します。
パブロ

 

 

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Pablo_EG
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MS 様

インフィニオンコミュニティをご利用頂き有難う御座います。

本件に関しては弊社のパッケージ担当と相談中になっております。
もう少々お待ち下さい。

宜しくお願い致します。
パブロ

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MS_19060803
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いつもお世話になっております。

ご連絡有難うございます。回答をお待ちしております。

以上、よろしくお願いいたします。

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Pablo_EG
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MS 様

返事が遅くなり申し訳御座いません。

データシートのVisoパラメータがデバイスのケースから半導体までの絶縁耐圧を表します。

Pablo_EG_0-1656028782807.png

ケースのTop側にも当てはまるので、IPA80R1K4P7の場合は2500V (1分)で御座います。

宜しくお願い致します。
パブロ

 

 

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