CoolSIC MOSFETとドライバ回路の選択

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CoolSIC MOSFETと適切なドライバ回路を使用したパワースイッチング回路の設計についてサポートが必要です。 生産プロトタイプに続いて、数千の部品の注文が発生する可能性があります。 現在、概念実証のプロトタイプ段階にあり、機械的なスイッチングから電子的なスイッチングに移行しています。 一緒に働ける会社のエンジニアはいますか?

スイッチング要件:少なくとも100Vの動作電圧で最大100A。 オフのときは、両方向の電流を遮断する必要があります。 3つのスペレート回路スイッチは同時に動作し(約1マイクロ秒以内)、少なくとも30〜40マイクロ秒オンのままで、スイッチオフし、その後に180度位相がずれてさらに3つの同一スイッチが続く必要があります。 50HZから8KHZまでの全体的な周波数範囲。

最新のチップを使用したコントローラ回路の提案を受け付けています。 古い技術のコントローラーまたはタイミングチップを使用する予定でした。

感謝!

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Selecting-CoolSIC-MOSFET-and-Driver-Circuit/td-p/652355

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こんにちは

MOSFETとゲートドライバの選択をお手伝いします。

  1. 2つのMOSFETを共通のドレインまたは共通のソースとして背中合わせに接続し、両方向の電流を遮断する必要があります
  2. MOSFETは短絡電流に耐える必要があります。SCでは2つのことが起こります
  • MOSFETがターンオフのエネルギー損失に耐えられるかどうかをSOAで確認する必要があります
  • ターンオフ時のdi/dtが高いため、MOSFETに影響を与える電圧が誘導され、アバランシェが発生します

詳細については、 リンク を参照してください

  1. 単一のMOSFETは短絡に耐えられない可能性があり、複数のスイッチを並列にする必要がある場合があります MOSFETの並列化の詳細については、以下の リンク を参照してください。
  2. この電圧仕様ではSiCは必要ありません。 この電圧リンクに関するMOSFETの提案がいくつかあります
  3. ゲートドライバ

 

 

 

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Selecting-CoolSIC-MOSFET-and-Driver-Circuit/m-p/658100

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3 返答(返信)
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こんにちは

リクエストありがとうございます。

詳細を教えていただけますか、

1. 最終製品

2. お申込み

3. トポロジー

よろしく

ヴィニェシュ

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Selecting-CoolSIC-MOSFET-and-Driver-Circuit/m-p/652666

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最終製品は、低電圧電力スイッチングアプリケーションです。

アプリケーションはディープサイクルバッテリーバンクです。

この回路は、現在スイッチングを提供している機械式整流子を置き換えます。

この場合も、3つのスイッチを100V未満と100A未満の負荷で約30〜40マイクロ秒同時にオンにしてからオフにする必要があります。 1/2周期後(位相が180度ずれている)に、3つのスイッチの異なるセットが30〜40マイクロ秒の間同時にオンになってからオフにする必要があります。

コントローラ回路は、サイクル周波数を50HZから8〜10KHZの間で変化させ、20〜100マイクロ秒の「オン」パルス幅を変化させます。

適切なMOSFETとドライバの選択にご協力いただきありがとうございます。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/Selecting-CoolSIC-MOSFET-and-Driver-Circuit/m-p/655135

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こんにちは

MOSFETとゲートドライバの選択をお手伝いします。

  1. 2つのMOSFETを共通のドレインまたは共通のソースとして背中合わせに接続し、両方向の電流を遮断する必要があります
  2. MOSFETは短絡電流に耐える必要があります。SCでは2つのことが起こります
  • MOSFETがターンオフのエネルギー損失に耐えられるかどうかをSOAで確認する必要があります
  • ターンオフ時のdi/dtが高いため、MOSFETに影響を与える電圧が誘導され、アバランシェが発生します

詳細については、 リンク を参照してください

  1. 単一のMOSFETは短絡に耐えられない可能性があり、複数のスイッチを並列にする必要がある場合があります MOSFETの並列化の詳細については、以下の リンク を参照してください。
  2. この電圧仕様ではSiCは必要ありません。 この電圧リンクに関するMOSFETの提案がいくつかあります
  3. ゲートドライバ

 

 

 

 

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