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MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

SoU_4942226
Level 4
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Level 4
Bsc050n10ns5のvgsに定格の20v以上の電圧を印加しvgs破壊した際故障モードはどのようになりますでしょうか。
ショート破壊
オープン破壊
どちらも可能性あり

以上です、よろしくお願いします。
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1 Solution
Pablo_EG
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Moderator
Sou 様

Infineonフォーラムをご利用頂き有難うございます。

最大Vgsを超えた場合は、ゲートとソースの間の絶縁体(SiO2)が故障されます(ゲート - ソース短絡)。
この故障から、Igsが増加し、ゲートと絶縁体が発熱します。
この点でゲート電源を切るとドレイン - ソース短絡が起こりません。

しかし、ゲート電圧を印加し続けた場合は、発熱による温度増加が発生します。
最終的にMOSFETの中身が溶けてしまい、ドレイン - ソース短絡が起こります。

上記のことから、シリコンの最大温度を越える前にVgsを切ればオープン破壊と
切らなければショート破壊故障モードになることがわかります。
多くの場合はショート破壊故障モードになっております。

宜しくお願い致します。
パブロ

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Pablo_EG
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Sou 様

Infineonフォーラムをご利用頂き有難うございます。

最大Vgsを超えた場合は、ゲートとソースの間の絶縁体(SiO2)が故障されます(ゲート - ソース短絡)。
この故障から、Igsが増加し、ゲートと絶縁体が発熱します。
この点でゲート電源を切るとドレイン - ソース短絡が起こりません。

しかし、ゲート電圧を印加し続けた場合は、発熱による温度増加が発生します。
最終的にMOSFETの中身が溶けてしまい、ドレイン - ソース短絡が起こります。

上記のことから、シリコンの最大温度を越える前にVgsを切ればオープン破壊と
切らなければショート破壊故障モードになることがわかります。
多くの場合はショート破壊故障モードになっております。

宜しくお願い致します。
パブロ
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