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MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

SoU_4942226
Level 4
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BSC030N08NS5がRds(on),max=3.0mΩでBSC026N08NS5はRds(on),max=2.6mΩとなっております。
しかしながら電流定格はBSC030N08NS5が161AでBSC026N08NS5は100Aとなっております。


          Rds(on),max   ID
BSC030N08NS5   3.0mΩ      161A
BSC026N08NS5   2.6mΩ      100A

Rds(on)とIDの関係が逆転しているのはなぜでしょうか。
また、データシートの "Diagram2 Draincurrent" を見ると
BSC026N08NS5は100Aで制限がかかっており、BSC030N08NS5はTc=25℃時点での電流で制限がかかっているように見受けられます。
この特性グラフの違いについてもご教示いたけないでしょうか。
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Pablo_EG
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SoU 様

上記の回答を修正させて頂きます。
弊社で2020年にIdを指定する方法を改善致しました。
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_CuClip_package_drain_current_approach-ApplicationNotes...
より正確な値になり、複数のデバイスのデータシートを更新致しました。
しかし、上記のBSC026N08NS5のデータシートが更新されていないため、前のId指定方法で決定された100Aになっております。
近い将来に更新する計画がございますのでご理解下さい。

宜しくお願い致します。

パブロ

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Pablo_EG
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SoU 様

インフィニオンフォーラムをご利用頂きありがとうございます。

ご指定通り、BSC030N08NS5とBSC026N08NS5の25度時の最大電流が異なります。
その理由は、デバイスの物理的な違いとなっております。

最大Idを指定するとき、チップの特性だけではなく、bond wire、パッケージの物理的な限界も検討致します。
データシートのDiagram2に記載されている急な変化がこの物理的な制限から生じます。

古いApp Noteですが、下記のPage 7に詳しく記載されているので、ご確認頂ければ幸いです。
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_OptiMOS_datasheet_explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=...

”However, in reality, additional boundary conditions, governed by bond wire diameter,
chip design and assembly, limit the maximum continuous drain current as illustrated in Figure 4”

5249.attach

他に質問があれば教えて頂ければ幸いです。

宜しくお願い致します。
パブロ
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Pablo_EG
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SoU 様

上記の回答を修正させて頂きます。
弊社で2020年にIdを指定する方法を改善致しました。
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_CuClip_package_drain_current_approach-ApplicationNotes...
より正確な値になり、複数のデバイスのデータシートを更新致しました。
しかし、上記のBSC026N08NS5のデータシートが更新されていないため、前のId指定方法で決定された100Aになっております。
近い将来に更新する計画がございますのでご理解下さい。

宜しくお願い致します。

パブロ
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