BOOST电路应用中,当低侧开关控制MOS管的G极出现寄生振荡时,可以怎样去评估这个MOSFET工作是安全的。

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LWZY
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1.BOOST电路工作条件:输入电压12.8V;输出20V/5A; Fsw=300kHz。

2.低侧开关管G极波形:

              

LWZY_1-1705400041730.png

3. 在上图低侧开关管开启过程中,G极存在寄生振荡,这个区域怎样去评估MOSFET是否会有失效风险。

4.使用型号:ISC0703NLS          相关电性参数如下:

            

LWZY_2-1705400288810.png

 

 

 

 

 

 

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Daisy_T
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@LWZY ,您好!

驱动波形的振荡一直是存在的,没办法避免。那么评估Mos是否安全,一个是看上线管的Vgs波形,是否有共通问题;另一个是同一个管子的Vgs, Vds, Id 的波形,看看振荡过程中是否有超出SOA曲线的部分。

另外值得注意的是,由于开关频率比较高,测量的时候,需要注意探头引入的部分干扰。

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Daisy_T
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@LWZY ,您好!

驱动波形的振荡一直是存在的,没办法避免。那么评估Mos是否安全,一个是看上线管的Vgs波形,是否有共通问题;另一个是同一个管子的Vgs, Vds, Id 的波形,看看振荡过程中是否有超出SOA曲线的部分。

另外值得注意的是,由于开关频率比较高,测量的时候,需要注意探头引入的部分干扰。

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