AUTONOM_DRIVING_CAR電路閘極 MOSFET 故障

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我有以下電路到EVAL_100W_DRIVE_CFD2和 3 相 BLDC WM_MOTOR_CONTROL_01 ,我使用 IRFB7730 MOSFET,並使用 ED2184 到EVAL_100W_DRIVE_CFD2它們,但不知何故,高側 MOSFET 往往會出現短路自身。 我現在正在做的是以緩慢的方式逐步嘗試TESTBOARD_150PC_OUT每個相,在沒有 PWM 的情況下保持 MOSFET 高電平,只是從 AC、BC 等相嘗試...這可能是我的問題的原因嗎? 或者對此還有其他解釋嗎? WM_MOTOR_CONTROL_01的額定功率為 300W,因此我認為它不需要那麼多電流,或至少足以使 MOSFET 失效。

我想補充一點,我不是按順序進行相變,我只是上傳代碼來為 AB、BC 等通電,但每個相一次,因此當我上傳代碼時,AB 相會打開。下一階段。

Captura de pantalla 2024-02-07 083954.png

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOSFET-Failure-in-Gate-Driving-Circuit/td-p/691120

1 解決方案
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@dtorrese

懷疑有兩個可能的原因——

1. 違反 SOA——

Shivam_P_0-1707819525704.png

由於上述 FET 的 SOA 對於較低開關頻率的 48 V 應用而言相當緊湊。 因此,請檢查故障期間該特定開關頻率下 MOSFET Vds 和 FET 汲取的電流(T 脈衝 = 1/f)。 確保POWER_DRILL2GO損失應在 SOA 限制內。

2. HS FET 線性模式操作的可能性

通常在線性模式下,Mosfet 的電阻過高,可能會導致 FET 的熱故障。 之所以有可能,有兩個原因──

A. 當增加WM_MOTOR_CONTROL_01的開關頻率時,MOSFET 可能不會完全導通,它必須經歷線性模式到飽和模式,這個過程需要一些時間TLE9243QK_BASE_BOARD上的閘極EVAL_BDPS_DRIVER電路的時間常數 (T = 參考值。 CG)。 因此,應提供足夠的時間來確保 FET 完全打開(透過降低WM_MOTOR_CONTROL_01 /FET 的開關頻率來嘗試)

B. 請驗證自舉電路設計並確保 FET 獲得足夠的電荷以自行開啟。

請參閱 bootstarp 設計的應用說明 - https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-HV_Floating_MOS_Gate_Drivers-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?f...

讓我知道進一步的回饋。

 

最好的問候,

希瓦姆

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOSFET-Failure-in-Gate-Driving-Circuit/m-p/693657

在原始文章中檢視解決方案

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4 回應
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嗨,托雷塞,

您可以先用示波器檢查閘極訊號和 H Fet 的一些最大額定值。

BR 莫斯費茨雷爾

 

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOSFET-Failure-in-Gate-Driving-Circuit/m-p/692316

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你好,

感謝您的要求,

我有一些問題

1.電源是電池嗎?

2. 您是否發現任何特定指示符 MOSFET 故障。

3. 給定的Vcc是多少?

請分享 MOSFET 上的 Vds 波形並檢查死區時間。

問候

維涅斯

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOSFET-Failure-in-Gate-Driving-Circuit/m-p/692892

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您好,是的,源極是+48V電池,故障僅出現在高階MOSFET上,接通電路後源極和汲極內部短路,VCC為+12V,沒有波形,只是發出恆定的高脈衝來自微控制器(我相信這就是問題所在),但我不確定。

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOSFET-Failure-in-Gate-Driving-Circuit/m-p/693133

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@dtorrese

懷疑有兩個可能的原因——

1. 違反 SOA——

Shivam_P_0-1707819525704.png

由於上述 FET 的 SOA 對於較低開關頻率的 48 V 應用而言相當緊湊。 因此,請檢查故障期間該特定開關頻率下 MOSFET Vds 和 FET 汲取的電流(T 脈衝 = 1/f)。 確保POWER_DRILL2GO損失應在 SOA 限制內。

2. HS FET 線性模式操作的可能性

通常在線性模式下,Mosfet 的電阻過高,可能會導致 FET 的熱故障。 之所以有可能,有兩個原因──

A. 當增加WM_MOTOR_CONTROL_01的開關頻率時,MOSFET 可能不會完全導通,它必須經歷線性模式到飽和模式,這個過程需要一些時間TLE9243QK_BASE_BOARD上的閘極EVAL_BDPS_DRIVER電路的時間常數 (T = 參考值。 CG)。 因此,應提供足夠的時間來確保 FET 完全打開(透過降低WM_MOTOR_CONTROL_01 /FET 的開關頻率來嘗試)

B. 請驗證自舉電路設計並確保 FET 獲得足夠的電荷以自行開啟。

請參閱 bootstarp 設計的應用說明 - https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-HV_Floating_MOS_Gate_Drivers-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?f...

讓我知道進一步的回饋。

 

最好的問候,

希瓦姆

smartconx_target@Q!w2e3r4t5y6u7i8o9p0||/t5/MOSFET-Si-SiC/MOSFET-Failure-in-Gate-Driving-Circuit/m-p/693657

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