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MOSFET (Si/SiC) Forum Discussions

yang
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the green curve is the Gate drive signal of SIC  AIMW120R035M1H ,how can I  improve the drive waveform

 

yang_0-1652163575058.png

 

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Jingwei
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您好,

目前基础且肯定的判断是驱动能力不足。首先建议降低Rg阻值。在这里IC最大驱动电流为2A,同时驱动回路中还有Rgint=4.5Ohm,IC中也有电阻,所以在这里再用10欧的电阻来驱动SiC是不合适的,不能够快速有力得给Cg充电。降低完Rg阻值之后请您再观测Vgs以及Vds和Id,来评估驱动情况。

BR,

Steven

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Jingwei
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您好

欢迎使用Infineon Community,

我观察到您发来的图片中显示,整个开关过程比较慢。这里我推测的原因可能有三:其一是Rg选大了,其二是Driver IC的最大驱动电流不足,其三是PCB栅极回路设计需优化。由于没有更多的信息,没法给出更精准的判断。您可以同时观测一下Source Current,以及Vds,同时计算一下dudt,来评估整体的开关速率。

 

这里我再梳理下栅极电路的设计流程,希望对您有帮助。

1. Peak current, Ig=(|Vgson|+|Vgsoff|/Rg,ext+Rgint),这里Rg选择datasheet中给的Rg,ext 如附图。计算出Ig去和Gate driver IC最大驱动电流比较,确保IC的驱动电流满足需求。

2. 根据应用设置的Vgs以及上面那个公式,来反推Rg,ext,选取合适的Rg,ext。

3. 计算Power dissipation,Pd=Qg*fsw*deltaVgs,确保这个值不超过IC的功率最大值。

4. 实验室验证,IC的温度,Rg温度上升对阻值的影响,有无出现parasitic turn on以及观察source current,看有没有很大的尖峰,调整Rg来满足设计要求。

如果还需其他帮助,请联系我。

Best regards

Steven

Jingwei_0-1652171589672.png

 

yang
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您好,在设计过程中采用的驱动芯片为1ED020I12-F2 供电为VCC 15V,VEE -4V,峰值电流为2A,栅极电阻为10欧,此时已接近该驱动芯片的峰值电流,在不带负载测试时驱动信号为完美的方波,但当输出端接电机时,驱动信号就变为上图

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Jingwei
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感谢您提供的信息。可以再提供下原理图么?我想看下您辅助源的设计,Gate driver circuit的设计以及负载电路。

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yang
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驱动IC的原理图如下,SIC 未设计相应的缓冲电路

yang_0-1652188869424.png

 

 

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Jingwei
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您好,

目前基础且肯定的判断是驱动能力不足。首先建议降低Rg阻值。在这里IC最大驱动电流为2A,同时驱动回路中还有Rgint=4.5Ohm,IC中也有电阻,所以在这里再用10欧的电阻来驱动SiC是不合适的,不能够快速有力得给Cg充电。降低完Rg阻值之后请您再观测Vgs以及Vds和Id,来评估驱动情况。

BR,

Steven

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